Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW40N120T2 за ціною від 262.13 грн до 773.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 480W Gate charge: 192nC Type of transistor: IGBT |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 258 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns Switching Energy: 5.25mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 192 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 480 W |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120T2 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120T2 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW40N120T2 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 498.49 грн |
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 480W
Gate charge: 192nC
Type of transistor: IGBT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 480W
Gate charge: 192nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 521.70 грн |
| 2+ | 454.74 грн |
| 3+ | 432.68 грн |
| 5+ | 403.84 грн |
| 10+ | 394.51 грн |
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 680.44 грн |
| 34+ | 416.21 грн |
| 100+ | 354.00 грн |
| 480+ | 299.34 грн |
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 693.02 грн |
| 30+ | 391.10 грн |
| 120+ | 330.37 грн |
| 510+ | 268.30 грн |
| 1020+ | 262.13 грн |
| IKW40N120T2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 773.32 грн |
| 25+ | 737.62 грн |
| 50+ | 707.94 грн |
| 100+ | 658.59 грн |
| 250+ | 590.89 грн |
| 500+ | 551.71 грн |
| IKW40N120T2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Запобіжник 5x20mm 10А 250VAC керамічний з виводами 50CT(P)-100H Hollyland Код товару: 195708
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hollyland
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами керамічний 10А 250В 5x20мм.
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm; dвив. = 0,65 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Кераміка
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами керамічний 10А 250В 5x20мм.
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm; dвив. = 0,65 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Кераміка
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
у наявності: 1000 шт
- 1000 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 7.80 грн |
| 100+ | 6.85 грн |
| IHW30N160R5XKSA1 Код товару: 180199
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,85 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 39 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 263 Вт
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,85 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 39 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 263 Вт
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується 20.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 175.00 грн |
| 10+ | 166.00 грн |
| GBU2510 (діодний міст) Код товару: 42585
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: GBU
Напруга зворотна Uзвор, В: 1000 В
Струм прямий Iпр, А: 25 А
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 А
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: GBU
Напруга зворотна Uзвор, В: 1000 В
Струм прямий Iпр, А: 25 А
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 А
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 601 шт
- 537 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 10 шт
- 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |











