Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N65R5

IHW30N65R5 Infineon technologies

INFN-S-A0001382241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies

на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N65R5 Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 88W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 153nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 90A, Turn-off time: 228ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT).

Інші пропозиції IHW30N65R5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW30N65R5 IHW30N65R5 Rochester Electronics, LLC INFN-S-A0001382241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5 Infineon Technologies INFN-S-A0001382241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5 INFN-S-A0001382241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IHW30N65R5
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5 INFN-S-A0001382241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5.pdf
IHW30N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.