Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW25N120H3 за ціною від 231.01 грн до 597.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW25N120H3 | Infineon |
 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW25N120H3 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IKW25N120H3 |
|
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 263.64 грн |
| IKW25N120H3FKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 359.81 грн |
| 6+ | 305.80 грн |
| 10+ | 279.20 грн |
| 20+ | 244.30 грн |
| 30+ | 231.01 грн |
| IKW25N120H3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 597.50 грн |
| 25+ | 571.84 грн |
| 50+ | 550.05 грн |
| 100+ | 512.40 грн |
| 250+ | 460.06 грн |