Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW40N120H3 за ціною від 253.21 грн до 738.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW40N120H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW40N120H3 | Infineon Technologies |
High speed Trans IGBT Chip |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW40N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW40N120H3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 253.21 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 471.61 грн |
| 5+ | 341.53 грн |
| 10+ | 306.63 грн |
| 30+ | 283.36 грн |
| IKW40N120H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
High speed Trans IGBT Chip
High speed Trans IGBT Chip
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 738.55 грн |
| 25+ | 704.44 грн |
| 50+ | 676.10 грн |
| 100+ | 628.96 грн |
| 250+ | 564.31 грн |
| IKW40N120H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





