IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 525.97 грн |
| 30+ | 403.98 грн |
| 120+ | 361.46 грн |
| 510+ | 299.31 грн |
| 1020+ | 269.38 грн |
| 2010+ | 252.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 355 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns, Switching Energy: 4.4mJ, Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 483 W.
Інші пропозиції IKW40N120H3FKSA1 за ціною від 264.86 грн до 825.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 483W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 Код товару: 144428 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |