Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW40N120H3FKSA1 за ціною від 209.59 грн до 625.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 1.2kV Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 160A |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - Verlustleistung: 483W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 4.4mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 388.88 грн |
| 43+ | 330.44 грн |
| 120+ | 319.70 грн |
| 510+ | 305.20 грн |
| 1020+ | 279.74 грн |
| 2010+ | 265.15 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.19 грн |
| 5+ | 362.27 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 483W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 483W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 506.53 грн |
| 5+ | 398.81 грн |
| 10+ | 291.09 грн |
| 50+ | 264.96 грн |
| 100+ | 239.64 грн |
| 250+ | 234.71 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 579.72 грн |
| 10+ | 402.03 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 584.92 грн |
| 30+ | 491.16 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 625.62 грн |
| 30+ | 347.70 грн |
| 120+ | 291.67 грн |
| 510+ | 235.21 грн |
| 1020+ | 221.16 грн |
| 2010+ | 209.59 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| PIC12F675-I/P Код товару: 24826
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1KB,20MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 V
Тип ядра: PIC12
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1KB,20MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 V
Тип ядра: PIC12
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 453 шт
- 430 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 65.80 грн |
| 100+ | 58.30 грн |
| BZV85-C8V2 Код товару: 24000
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 8,2 V
Струм стабілізації, Izt: 25mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.1 до 6.1mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 8,2 V
Струм стабілізації, Izt: 25mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.1 до 6.1mV/K
у наявності: 367 шт
- 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 124 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 124 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 101 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| BZX84-C9V1 Код товару: 22158
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
у наявності: 2723 шт
- 2650 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 48 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| TL072CDT Код товару: 15997
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: ±15 V
BW,MHz: 4 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 16 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: ±15 V
BW,MHz: 4 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 16 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
у наявності: 730 шт
- 654 шт - склад
- 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| IRLML0060TRPBF Код товару: 38412
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1536 шт
- 344 шт - склад
- 371 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 295 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 185 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |











