IRLML0060TRPBF
Код товару: 38412
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,092 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10 грн |
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0060TRPBF за ціною від 2.78 грн до 52.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 15416 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
на замовлення 79925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 164160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 164160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 4330 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.77 грн |
| 6000+ | 7.92 грн |
| 9000+ | 7.84 грн |
| 24000+ | 7.48 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.77 грн |
| 6000+ | 7.92 грн |
| 9000+ | 7.84 грн |
| 24000+ | 7.48 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 584+ | 24.19 грн |
| 606+ | 23.31 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
| 2500+ | 21.10 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 439+ | 32.18 грн |
| 443+ | 31.86 грн |
| 605+ | 23.36 грн |
| 1007+ | 13.52 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.49 грн |
| 16+ | 27.77 грн |
| 50+ | 19.55 грн |
| 100+ | 16.68 грн |
| 500+ | 11.60 грн |
| 1000+ | 10.16 грн |
| 3000+ | 9.57 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.82 грн |
| 24+ | 31.65 грн |
| 25+ | 31.34 грн |
| 50+ | 22.14 грн |
| 100+ | 12.31 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.45 грн |
| 24+ | 32.18 грн |
| 45+ | 16.73 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
на замовлення 79925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 164160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 164160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 2.78 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.85 грн |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13296 шт
- 11600 шт - склад
- 935 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 380 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 381 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
- 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Код товару: 67047
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 264 шт
- 264 шт - склад
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.20 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
22
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 37976 шт
- 29047 шт - склад
- 882 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2865 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 945 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4237 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 27+ | 0.76 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.41 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2426 шт
- 2290 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 80 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |









