IRLML0060TRPBF
Код товару: 38412
Виробник: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 2113 шт:
1802 шт - склад
67 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0060TRPBF за ціною від 4.77 грн до 35.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 502000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 278293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 14645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 58819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 14645 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 39316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 278293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
на замовлення 114871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=60V; Id=2,7A; Rds=0,092 Ohm |
на замовлення 276 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 |
на замовлення 5669 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Ningbo KLS electronic co.,ltd | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7372 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
L78L05ABUTR Код товару: 24972 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 3153 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
1nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3903 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 5680 шт
очікується:
16000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.5 грн |
100+ | 0.35 грн |
1000+ | 0.25 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 81004 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
1uF 25V X7R 10% 0805 (CL21B105KAFNNNE – Samsung) Код товару: 108063 |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 31951 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.8 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |