IRLML0060TRPBF
Код товару: 38412
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1686 шт:
623 шт - склад
381 шт - РАДІОМАГ-Київ
323 шт - РАДІОМАГ-Львів
359 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0060TRPBF за ціною від 5.48 грн до 51.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 26594 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
на замовлення 97831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 99197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Виробник : UMW |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Код товару: 67047
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 3286 шт
3199 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Львів
87 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 409 шт
65 шт - склад
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
204 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
204 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується 23.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.10 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 27302 шт
20051 шт - склад
1818 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
2998 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1818 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
184 шт - РАДІОМАГ-Харків
2998 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| Клемник DG301-5.0-02P-12-00Z(H) Код товару: 19759
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/15A, під провід: 22-14 AWG 1,5м.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 15 A
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/15A, під провід: 22-14 AWG 1,5м.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 15 A
у наявності: 10530 шт
9435 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
495 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
495 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
12000 шт
12000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |







