Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLML0060TRPBF
IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Код товару: 38412
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1536 шт
  • 344 шт - склад
  • 371 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 295 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 185 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML0060TRPBF за ціною від 2.79 грн до 57.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0060-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 60878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
6000+9.50 грн
9000+9.02 грн
15000+7.97 грн
21000+7.68 грн
30000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.14 грн
6000+9.31 грн
9000+9.21 грн
15000+8.80 грн
21000+7.75 грн
24000+7.36 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.14 грн
6000+9.31 грн
9000+9.21 грн
15000+8.80 грн
21000+7.75 грн
24000+7.36 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.30 грн
606+23.42 грн
1000+22.65 грн
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 193257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.65 грн
250+16.35 грн
1000+10.25 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.74 грн
413+34.39 грн
424+33.46 грн
706+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.27 грн
16+26.18 грн
50+17.45 грн
100+14.71 грн
200+12.55 грн
500+10.47 грн
1000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 193257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.64 грн
50+24.65 грн
250+16.35 грн
1000+10.25 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0060-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 60878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.42 грн
100+18.16 грн
500+12.85 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLML0060-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
на замовлення 44366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
11+30.33 грн
100+16.84 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
3000+9.18 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+56.29 грн
22+34.50 грн
25+34.15 грн
50+32.05 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.05 грн
22+35.91 грн
41+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF UMW infineon-irlml0060-ds-en.pdf MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
112+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF International Rectifier/Infineon irlml0060pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 1907 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 60878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.82 грн
6000+9.50 грн
9000+9.02 грн
15000+7.97 грн
21000+7.68 грн
30000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.14 грн
6000+9.31 грн
9000+9.21 грн
15000+8.80 грн
21000+7.75 грн
24000+7.36 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.14 грн
6000+9.31 грн
9000+9.21 грн
15000+8.80 грн
21000+7.75 грн
24000+7.36 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
584+24.30 грн
606+23.42 грн
1000+22.65 грн
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 193257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+24.65 грн
250+16.35 грн
1000+10.25 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
409+34.74 грн
413+34.39 грн
424+33.46 грн
706+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.27 грн
16+26.18 грн
50+17.45 грн
100+14.71 грн
200+12.55 грн
500+10.47 грн
1000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 193257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+41.64 грн
50+24.65 грн
250+16.35 грн
1000+10.25 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 60878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
11+28.42 грн
100+18.16 грн
500+12.85 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF Infineon-IRLML0060-DS-v01_01-EN.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
на замовлення 44366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.85 грн
11+30.33 грн
100+16.84 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
3000+9.18 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+56.29 грн
22+34.50 грн
25+34.15 грн
50+32.05 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.05 грн
22+35.91 грн
41+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 1907 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2885 шт
  • 1009 шт - склад
  • 936 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 480 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Код товару: 67047
1 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 3881 шт
  • 3799 шт - склад
  • 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
2 Додати до обраних Обраний товар
irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 510/9.5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
у наявності: 1596 шт
  • 1361 шт - склад
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 3,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 388/4.8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 864 шт
  • 718 шт - склад
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 50289 шт
  • 47667 шт - склад
  • 2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.