Технічний опис IKW75N60T
- IGBT, N, 600V, 75A, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Max Current Ic Continuous a:75A
- Max Voltage Vce Sat:2V
- Power Dissipation:428W
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- No. of Transistors:1
- DC Collector Current:80A
- Max Power Dissipation:428W
Інші пропозиції IKW75N60T за ціною від 276.01 грн до 864.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N60T | Infineon |
  Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60tкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 401ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N60T | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N60T | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon |
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори |
на замовлення 70 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IKW75N60T |
|
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 313.26 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 475.18 грн |
| 5+ | 383.91 грн |
| 10+ | 358.15 грн |
| 15+ | 348.17 грн |
| IKW75N60T |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 864.06 грн |
| 25+ | 824.17 грн |
| 50+ | 791.00 грн |
| 100+ | 735.86 грн |
| 250+ | 660.22 грн |
| 500+ | 616.44 грн |
| 1000+ | 601.48 грн |
| IKW75N60T |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)