Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > IMT1AT110
IMT1AT110

IMT1AT110 Rohm Semiconductor

datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT1AT110 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT1AT110 за ціною від 6.42 грн до 36.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM umt1n.pdf Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.01 грн
500+9.72 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.74 грн
100+12.50 грн
500+8.78 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM Semiconductor datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.72 грн
100+11.39 грн
500+8.56 грн
1000+7.66 грн
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM umt1n.pdf Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.08 грн
37+21.99 грн
100+14.01 грн
500+9.72 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110 ROHM SOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.01 грн
500+9.72 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMT1AT110
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.40 грн
16+19.74 грн
100+12.50 грн
500+8.78 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMT1AT110
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.91 грн
16+20.72 грн
100+11.39 грн
500+8.56 грн
1000+7.66 грн
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+36.08 грн
37+21.99 грн
100+14.01 грн
500+9.72 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110
Виробник: ROHM
SOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.