Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > IMT1AT110
IMT1AT110

IMT1AT110 Rohm Semiconductor

datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT1AT110 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT1AT110 за ціною від 7.81 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMT1AT110 IMT1AT110 Rohm Semiconductor umt1n.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 Rohm Semiconductor umt1n.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
16+19.70 грн
100+12.47 грн
500+8.76 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM Semiconductor datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM umt1n.pdf Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM umt1n.pdf Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110 ROHM SOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
718+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMT1AT110
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
16+19.70 грн
100+12.47 грн
500+8.76 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 datasheet?p=IMT1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMT1AT110
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110
Виробник: ROHM
SOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.