IMZ1AT108 Rohm Semiconductor
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 662+ | 0.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ1AT108 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMZ1AT108 за ціною від 5.44 грн до 65.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ1AT108 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ1AT108 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 19147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ1AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ1AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IMZ1A T108 | Виробник : ROHM | SO163-Z1 |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | Виробник : ROHM | SOT23- |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 5486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ1 A T108 | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |