Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > IMZ1AT108
IMZ1AT108

IMZ1AT108 Rohm Semiconductor

umz1ntr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
662+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ1AT108 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMZ1AT108 за ціною від 5.37 грн до 50.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
6000+6.42 грн
9000+6.09 грн
15000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf description Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+11.88 грн
1210+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf description Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf description Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.45 грн
500+8.77 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 ROHM SEMICONDUCTOR IMZ1AT108.pdf description Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.00 грн
11+40.30 грн
25+36.81 грн
100+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 ROHM Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 ROHM datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 IMZ1AT108 Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf description Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 ROHM SOT26
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 A T108 ROHM SOT26/SOT363
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.33 грн
6000+6.42 грн
9000+6.09 грн
15000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description umz1ntr-e.pdf
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1191+11.88 грн
1210+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description umz1ntr-e.pdf
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description umz1ntr-e.pdf
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.45 грн
500+8.77 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description IMZ1AT108.pdf
IMZ1AT108
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.00 грн
11+40.30 грн
25+36.81 грн
100+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMZ1AT108
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMZ1AT108
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108 description umz1ntr-e.pdf
IMZ1AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108
Виробник: ROHM
SOT26
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 A T108
Виробник: ROHM
SOT26/SOT363
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.