IPB019N08N3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 506.25 грн |
| 10+ | 326.35 грн |
| 100+ | 209.46 грн |
| 500+ | 189.19 грн |
| 1000+ | 166.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPB019N08N3 G за ціною від 425.82 грн до 607.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08N3G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPB019N08N3G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 607.04 грн |
| 26+ | 580.97 грн |
| 50+ | 558.83 грн |
| 100+ | 520.59 грн |
| 250+ | 467.40 грн |
| 500+ | 436.50 грн |
| 1000+ | 425.82 грн |