IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 158.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB019N08N3GATMA1 за ціною від 182.23 грн до 460.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
на замовлення 5531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB019N08N3GATMA1 Код товару: 209200
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB019N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |