Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08N3GATMA1
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB019N08N3GATMA1 за ціною від 181.09 грн до 463.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+197.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+247.40 грн
2000+239.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+252.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+269.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+271.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.85 грн
10+294.63 грн
100+228.60 грн
500+196.95 грн
1000+181.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.53 грн
10+334.58 грн
100+270.86 грн
500+220.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en-1227160.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.58 грн
10+340.11 грн
25+279.56 грн
100+225.12 грн
250+222.91 грн
500+194.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+463.58 грн
32+392.02 грн
50+298.68 грн
200+270.01 грн
500+220.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1
Код товару: 209200
Додати до обраних Обраний товар

IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.