Продукція > IPB > IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
Код товару: 209200
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB019N08N3GATMA1 за ціною від 150.11 грн до 544.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+162.47 грн
3000+150.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+221.61 грн
3000+212.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.69 грн
3000+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.98 грн
168000+232.28 грн
252000+217.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.39 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.05 грн
10+279.04 грн
50+219.68 грн
100+188.26 грн
500+172.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+536.19 грн
32+453.42 грн
50+345.46 грн
200+312.30 грн
500+254.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.27 грн
10+380.75 грн
50+306.07 грн
100+271.35 грн
500+222.93 грн
1000+193.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+544.21 грн
37+381.41 грн
50+306.60 грн
100+271.82 грн
500+223.31 грн
1000+194.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+162.47 грн
3000+150.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+221.61 грн
3000+212.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+224.69 грн
3000+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+252.98 грн
168000+232.28 грн
252000+217.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+314.39 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.05 грн
10+279.04 грн
50+219.68 грн
100+188.26 грн
500+172.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+536.19 грн
32+453.42 грн
50+345.46 грн
200+312.30 грн
500+254.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+543.27 грн
10+380.75 грн
50+306.07 грн
100+271.35 грн
500+222.93 грн
1000+193.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+544.21 грн
37+381.41 грн
50+306.60 грн
100+271.82 грн
500+223.31 грн
1000+194.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.