Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08N3GATMA1
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+158.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB019N08N3GATMA1 за ціною від 185.83 грн до 464.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+270.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+272.47 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+286.15 грн
2000+276.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.96 грн
10+288.40 грн
100+234.05 грн
500+205.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en-1227160.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.54 грн
10+332.37 грн
100+243.74 грн
500+224.12 грн
1000+190.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+446.96 грн
10+373.31 грн
100+303.90 грн
500+239.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+464.70 грн
32+392.96 грн
50+299.40 грн
200+270.66 грн
500+220.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1
Код товару: 209200
Додати до обраних Обраний товар

IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.