Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB-032SIMounting Fixings
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0420SIMounting Fixings
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0428SIMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0518SIMounting Fixings
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0524SIMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-256SIMounting Fixings
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-5-10A-OFATTE POWERCategory: Industrial Networks
Description: Switch PoE Ethernet; Number of ports: 6; 10Mbps,100Mbps; W: 95mm
Connection: RJ45 - PoE x5; RJ45 Uplink socket x1
Supply voltage: 190...260V AC
Data transfer rate: 10Mbps; 100Mbps
Operating temperature: -25...50°C
Length: 131mm
Application: CCTV; for built-in
Width: 95mm
Number of ports: 6
Height: 28mm
Type of CCTV accessories: switch PoE Ethernet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4928.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-M3SIMounting Fixings
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-M5SIMounting Fixings
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03L G
Код товару: 132260
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NInfineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.86 грн
10+410.27 грн
100+303.29 грн
500+280.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+363.02 грн
103+345.34 грн
500+326.48 грн
1000+297.77 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+368.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.26 грн
10+412.14 грн
50+404.49 грн
100+293.93 грн
500+260.04 грн
1000+247.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+363.02 грн
103+345.34 грн
500+326.48 грн
1000+297.77 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.84 грн
10+308.14 грн
25+306.44 грн
100+293.86 грн
250+270.58 грн
500+258.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.66 грн
3000+204.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+265.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+581.85 грн
35+413.10 грн
100+305.39 грн
500+282.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+581.25 грн
35+412.85 грн
50+405.18 грн
100+294.43 грн
500+260.48 грн
1000+247.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+268.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.59 грн
10+359.28 грн
50+285.41 грн
100+245.55 грн
500+222.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+308.14 грн
47+306.44 грн
100+293.86 грн
250+270.58 грн
500+258.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.61 грн
10000+152.06 грн
15000+142.23 грн
20000+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.85 грн
98+144.74 грн
99+143.89 грн
119+115.56 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.22 грн
10+189.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+166.19 грн
1000+153.22 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+164.17 грн
50+126.64 грн
100+107.51 грн
500+87.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.65 грн
10+214.36 грн
50+187.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.08 грн
3000+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.79 грн
3000+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.00 грн
74+191.17 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.85 грн
10+144.74 грн
25+143.89 грн
100+115.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.18 грн
66+214.73 грн
76+188.32 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+166.19 грн
1000+153.22 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.26 грн
50+297.01 грн
500+294.66 грн
1000+256.86 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N (транзистори)
Код товару: 50026
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.10 грн
104+136.44 грн
106+134.55 грн
110+124.29 грн
250+113.32 грн
500+100.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.10 грн
10+136.44 грн
25+134.55 грн
100+124.29 грн
250+113.32 грн
500+100.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGInfineon technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.54 грн
2000+137.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+403.09 грн
50+285.23 грн
60+239.26 грн
100+218.21 грн
200+201.00 грн
500+174.77 грн
1000+164.67 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.74 грн
2000+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.34 грн
10+104.62 грн
25+103.99 грн
100+94.73 грн
250+85.60 грн
500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 197A; 250W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.25mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 197A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.34 грн
136+104.62 грн
137+103.99 грн
144+94.73 грн
250+85.60 грн
500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.54 грн
100+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.15 грн
2400+136.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.21 грн
10+395.84 грн
50+311.53 грн
100+274.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.73 грн
49+292.42 грн
50+284.46 грн
100+181.96 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.67 грн
71+200.46 грн
72+197.35 грн
100+187.21 грн
250+170.48 грн
500+160.91 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.07 грн
2400+138.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
10+269.53 грн
50+212.12 грн
100+181.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.67 грн
10+200.46 грн
25+197.35 грн
100+187.21 грн
250+170.48 грн
500+160.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+297.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 203nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 198A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.3mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]