Продукція > IPB

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03L G
Код товару: 132260

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	372.60 грн
10+	330.46 грн
100+	235.33 грн
500+	200.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06N

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.45 грн
10+	353.47 грн
100+	248.13 грн
500+	221.72 грн
1000+	188.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.02 грн
10+	330.46 грн
100+	238.53 грн
500+	213.71 грн
1000+	188.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	376.23 грн
200+	285.99 грн
500+	250.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	282.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.77 грн
10+	297.24 грн
100+	214.78 грн
500+	201.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	361.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	427.41 грн
10+	369.04 грн
50+	339.41 грн
200+	287.65 грн
500+	237.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04L G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.57 грн
10+	204.35 грн
100+	130.47 грн
500+	116.86 грн
1000+	98.45 грн
2000+	93.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.83 грн
10+	202.51 грн
100+	124.07 грн
500+	110.46 грн
1000+	93.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	203.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.73 грн
10+	180.51 грн
100+	126.67 грн
500+	106.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.86 грн
10+	220.66 грн
25+	219.67 грн
100+	191.23 грн
250+	175.28 грн
500+	142.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	273.49 грн
50+	266.10 грн
500+	263.99 грн
1000+	230.12 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	222.00 грн
62+	205.02 грн
100+	178.48 грн
250+	163.60 грн
500+	132.87 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04N (транзисторы)
Код товару: 50026

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 4387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.39 грн
10+	219.08 грн
100+	139.27 грн
500+	122.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	132.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.40 грн
10+	130.97 грн
25+	129.16 грн
100+	119.31 грн
250+	108.77 грн
500+	96.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.03 грн
10+	228.28 грн
25+	192.90 грн
100+	143.28 грн
500+	142.48 грн
800+	112.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.31 грн
104+	122.24 грн
106+	120.55 грн
110+	111.35 грн
250+	101.52 грн
500+	90.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.72 грн
10+	219.99 грн
100+	165.22 грн
500+	132.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NG

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	361.13 грн
50+	255.54 грн
60+	214.36 грн
100+	195.50 грн
200+	180.08 грн
500+	156.58 грн
1000+	147.53 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.90 грн
10+	229.87 грн
100+	176.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	138.94 грн
2000+	132.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	154.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	148.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.49 грн
2000+	123.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	144.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.97 грн
10+	201.13 грн
100+	148.16 грн
500+	121.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	104.96 грн
10+	100.43 грн
25+	99.82 грн
100+	90.93 грн
250+	82.17 грн
500+	69.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.07 грн
10+	172.13 грн
100+	112.06 грн
500+	74.36 грн
800+	73.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.16 грн
500+	121.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	97.96 грн
136+	93.73 грн
137+	93.17 грн
144+	84.87 грн
250+	76.69 грн
500+	64.44 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.41 грн
10+	168.51 грн
100+	117.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.06 грн
10+	230.21 грн
100+	163.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	126.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.47 грн
10+	185.02 грн
100+	140.08 грн
500+	133.67 грн
800+	124.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.50 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	175.09 грн
500+	155.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB013N06NF2SATMA1

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	401.37 грн
10+	202.03 грн
100+	175.09 грн
500+	155.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.48 грн
10+	93.38 грн
100+	63.48 грн
500+	47.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	51.88 грн
246+	51.72 грн
256+	49.53 грн
261+	46.93 грн
500+	39.33 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.48 грн
500+	47.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.40 грн
14+	55.58 грн
25+	55.41 грн
100+	51.17 грн
250+	46.56 грн
500+	40.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPB014N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.58 грн
10+	104.94 грн
100+	58.51 грн
500+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06N

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.08 грн
10+	257.74 грн
100+	178.50 грн
500+	159.29 грн
1000+	135.27 грн
2000+	127.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06N

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	359.53 грн
10+	231.04 грн
100+	159.29 грн
500+	149.68 грн
1000+	127.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	327.56 грн
2+	289.89 грн
10+	224.12 грн
25+	198.11 грн
50+	181.10 грн
100+	166.09 грн
200+	153.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	360.06 грн
10+	248.72 грн
50+	222.68 грн
200+	181.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.62 грн
10+	186.77 грн
25+	165.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	343.82 грн
50+	265.25 грн
200+	241.60 грн
500+	175.95 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.33 грн
10+	229.46 грн
100+	163.30 грн
500+	144.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	246.03 грн
200+	178.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NE8197ATMA1

IPB014N06NE8197ATMA1

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	330.51 грн
102+	313.62 грн
500+	297.78 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

IPB014N06NE8197ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R (incomplete reels from part IPB014N06NATMA1)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04L G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.28 грн
10+	264.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04N
Код товару: 62499

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	359.53 грн
10+	297.32 грн
25+	244.13 грн
100+	208.91 грн
250+	196.91 грн
500+	186.50 грн
1000+	157.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NG

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NG

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.01 грн
10+	78.46 грн
100+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.38 грн
10+	242.13 грн
100+	172.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	166.76 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	179.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.24 грн
10+	293.64 грн
100+	182.50 грн
500+	152.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	175.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB015N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.48 грн
10+	112.24 грн
100+	95.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.41 грн
10+	139.66 грн
100+	100.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB015N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.82 грн
10+	103.10 грн
100+	78.44 грн
500+	76.44 грн
800+	76.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB015N06NF2SATMA1

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	95.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.13 грн
10+	217.62 грн
100+	195.10 грн
250+	184.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	318.76 грн
500+	279.32 грн
1000+	241.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 4104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.02 грн
10+	352.86 грн
100+	264.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.04 грн
10+	349.79 грн
100+	252.14 грн
1000+	218.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	438.18 грн
10+	368.15 грн
100+	318.76 грн
500+	279.32 грн
1000+	241.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	294.16 грн
10+	271.18 грн
100+	234.13 грн
250+	221.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.47 грн
10+	253.14 грн
100+	172.89 грн
500+	153.68 грн
1000+	130.47 грн
2000+	123.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	166.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.57 грн
10+	203.38 грн
25+	196.50 грн
100+	170.80 грн
250+	129.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	205.87 грн
67+	189.82 грн
70+	183.40 грн
100+	159.42 грн
250+	120.45 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.67 грн
10+	223.62 грн
100+	158.87 грн
500+	139.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.97 грн
10+	166.61 грн
500+	144.08 грн
1000+	122.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	157.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.62 грн
10+	171.50 грн
100+	163.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	126.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB016N08NF2SATMA1

SP005571685

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	127.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	140.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB016N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.94 грн
10+	263.26 грн
100+	169.69 грн
500+	152.08 грн
800+	137.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.11 грн
10+	243.38 грн
100+	173.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	368.86 грн
10+	243.01 грн
100+	162.49 грн
500+	144.88 грн
1000+	122.47 грн
2000+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.11 грн
10+	254.11 грн
100+	183.18 грн
500+	158.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	120.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 5502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.37 грн
10+	234.73 грн
100+	146.48 грн
500+	136.07 грн
1000+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 5663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	341.14 грн
10+	217.03 грн
100+	153.81 грн
500+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N06N3GXT

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	503.92 грн
10+	327.18 грн
100+	240.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	404.06 грн
100+	348.39 грн
500+	303.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 894 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	341.57 грн
6+	208.11 грн
16+	197.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.75 грн
10+	297.32 грн
100+	216.12 грн
1000+	196.91 грн
2000+	195.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	435.49 грн
10+	346.60 грн
100+	287.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	695.93 грн
25+	663.80 грн
50+	637.08 грн
100+	592.67 грн
250+	531.75 грн
500+	496.49 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5

на замовлення 987 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	234.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	467.15 грн
40+	317.80 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.69 грн
10+	301.33 грн
100+	217.67 грн
500+	203.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 136000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	314.89 грн
68000+	289.13 грн
102000+	270.43 грн
136000+	247.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	338.51 грн
50+	308.88 грн
200+	259.31 грн
500+	225.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 12844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.06 грн
10+	310.21 грн
100+	218.52 грн
500+	210.51 грн
1000+	179.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	259.76 грн
500+	246.04 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.23 грн
10+	352.08 грн
25+	348.64 грн
100+	264.28 грн
250+	240.26 грн
500+	205.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	184.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	509.81 грн
39+	325.40 грн
100+	246.66 грн
250+	224.24 грн
500+	191.37 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

на замовлення 1282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.79 грн
10+	338.51 грн
50+	308.88 грн
200+	259.31 грн
500+	225.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	219.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5E8187ATMA1

OptiMOS5Power-Transistor,100VPG-TO 263-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	534.26 грн
10+	360.06 грн
100+	272.97 грн
500+	240.13 грн
1000+	180.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 4525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	550.03 грн
10+	365.44 грн
100+	235.33 грн
1000+	200.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	294.61 грн
500+	279.83 грн
1000+	263.99 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	512.58 грн
10+	332.59 грн
100+	245.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	256.90 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

на замовлення 5623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.06 грн
100+	272.97 грн
500+	240.13 грн
1000+	180.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	240.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 313W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 313W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	208.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	513.61 грн
34+	375.99 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPB018N03LF2SATMA1

MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.26 грн
10+	150.04 грн
100+	96.05 грн
500+	80.84 грн
800+	67.16 грн
2400+	63.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	83.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.29 грн
1600+	61.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.38 грн
10+	128.40 грн
100+	88.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	169.31 грн
91+	140.71 грн
92+	139.20 грн
113+	108.98 грн
250+	93.35 грн
500+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.45 грн
10+	144.52 грн
100+	86.45 грн
500+	80.84 грн
800+	60.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	181.40 грн
10+	150.76 грн
25+	149.14 грн
100+	116.76 грн
250+	100.01 грн
500+	67.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.94 грн
10+	128.99 грн
100+	88.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	72.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	644.70 грн
5+	547.73 грн
10+	449.86 грн
50+	364.36 грн
100+	287.08 грн
250+	281.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

на замовлення 1167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	449.86 грн
50+	364.36 грн
100+	287.08 грн
250+	281.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB018N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	652.75 грн
10+	448.28 грн
100+	291.36 грн
500+	281.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.70 грн
10+	260.50 грн
25+	213.71 грн
100+	183.30 грн
250+	173.69 грн
500+	164.09 грн
1000+	138.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 7156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.24 грн
10+	242.05 грн
100+	171.84 грн
500+	133.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	320.30 грн
10+	233.81 грн
25+	202.51 грн
100+	148.88 грн
500+	132.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	140.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 917 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	230.58 грн
10+	126.07 грн
26+	119.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.01 грн
10+	382.93 грн
100+	269.74 грн
500+	240.93 грн
1000+	204.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3G

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	526.28 грн
26+	503.67 грн
50+	484.48 грн
100+	451.32 грн
250+	405.21 грн
500+	378.43 грн
1000+	369.16 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	280.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	296.47 грн
2000+	286.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 5531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	486.61 грн
10+	321.51 грн
100+	242.59 грн
500+	221.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.04 грн
10+	264.18 грн
100+	204.11 грн
500+	203.31 грн
1000+	192.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	168.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1
Код товару: 209200

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	412.14 грн
10+	346.60 грн
100+	298.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	481.45 грн
32+	407.13 грн
50+	310.20 грн
200+	280.42 грн
500+	228.88 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	282.29 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	200.10 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.95 грн
10+	308.25 грн
100+	222.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	133.04 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

SP005571690

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.89 грн
500+	113.39 грн
1000+	103.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	149.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.90 грн
10+	182.26 грн
100+	109.66 грн
500+	97.65 грн
800+	96.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.58 грн
10+	189.43 грн
100+	133.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.62 грн
10+	184.07 грн
100+	132.89 грн
500+	113.39 грн
1000+	103.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB020N03LF2SATMA1

MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.52 грн
10+	148.20 грн
100+	89.65 грн
500+	79.16 грн
800+	66.28 грн
2400+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N03LF2SATMA1

Description: IPB020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N03LF2SATMA1

Description: IPB020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.33 грн
10+	135.49 грн
100+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.88 грн
10+	113.22 грн
100+	96.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.10 грн
10+	131.45 грн
25+	129.75 грн
100+	118.78 грн
250+	107.17 грн
500+	99.02 грн
1000+	95.57 грн
3000+	94.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 2432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	121.90 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	173.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	152.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	338.98 грн
10+	226.44 грн
100+	163.29 грн
500+	155.28 грн
1000+	136.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	113.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.86 грн
10+	228.97 грн
100+	197.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	152.60 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	212.25 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	212.25 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 3966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.25 грн
10+	228.29 грн
100+	182.00 грн
500+	142.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	138.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.32 грн
10+	326.77 грн
100+	230.52 грн
500+	205.71 грн
1000+	174.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	305.29 грн
200+	264.31 грн
500+	225.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 5591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.45 грн
10+	290.88 грн
100+	196.91 грн
500+	194.50 грн
1000+	164.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.53 грн
10+	326.84 грн
50+	305.29 грн
200+	264.31 грн
500+	225.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.06 грн
10+	433.81 грн
25+	415.35 грн
100+	321.36 грн
250+	286.56 грн
500+	259.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 7458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.45 грн
10+	285.40 грн
100+	205.51 грн
500+	190.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.93 грн
10+	326.77 грн
100+	205.71 грн
500+	204.11 грн
1000+	173.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	721.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	460.63 грн
10+	297.41 грн
100+	214.66 грн
500+	200.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	957.51 грн
15+	865.96 грн
50+	770.11 грн
100+	676.13 грн
200+	604.89 грн
500+	533.61 грн
1000+	482.83 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	351.98 грн
100+	263.99 грн
500+	236.79 грн
1000+	177.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	180.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.49 грн
10+	351.98 грн
100+	263.99 грн
500+	236.79 грн
1000+	177.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	673.73 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.82 грн
10+	306.52 грн
100+	212.91 грн
500+	203.31 грн
1000+	186.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3G

Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	209.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	235.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	240.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 7434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.98 грн
10+	330.01 грн
100+	238.74 грн
500+	189.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB020NE7N3GATMA1

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	389.70 грн
10+	295.41 грн
100+	235.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB021N06N3 G

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB021N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB021N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB021N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB021N10NM5LF2ATMA1

Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.33 грн
10+	277.40 грн
100+	199.39 грн
500+	183.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB021N10NM5LF2ATMA1

Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	165.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB021N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.25 грн
10+	305.60 грн
100+	190.50 грн
500+	187.30 грн
1000+	158.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB022N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB022N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	73.76 грн

Мінімальне замовлення: 335

В кошику од. на суму грн.

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB022N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB022N12NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB022N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	630.34 грн
10+	412.64 грн
100+	302.45 грн
500+	250.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB022N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.23 грн
10+	395.81 грн
25+	343.38 грн
100+	252.94 грн
500+	233.73 грн
1000+	220.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB022N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N03LF2SATMA1

MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.72 грн
10+	146.36 грн
100+	88.05 грн
500+	77.80 грн
800+	65.15 грн
2400+	61.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB023N03LF2SATMA1

Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N03LF2SATMA1

Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 90A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

377+	84.19 грн
500+	80.62 грн
1000+	76.14 грн

Мінімальне замовлення: 377

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.48 грн
10+	135.59 грн
100+	96.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	182.10 грн
10+	135.31 грн
100+	84.85 грн
250+	84.04 грн
500+	79.64 грн
800+	59.39 грн
2400+	59.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

377+	84.19 грн
500+	80.62 грн

Мінімальне замовлення: 377

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB023N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.88 грн
10+	204.37 грн
25+	202.38 грн
100+	193.06 грн
250+	176.82 грн
500+	167.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.86 грн
10+	196.64 грн
100+	149.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	328.71 грн
10+	272.47 грн
25+	223.32 грн
100+	191.30 грн
250+	180.90 грн
500+	169.69 грн
1000+	144.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	176.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	356.73 грн
10+	227.46 грн
100+	161.68 грн
500+	142.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	197.76 грн
67+	190.75 грн
68+	188.89 грн
100+	180.19 грн
250+	165.03 грн
500+	156.69 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08N5ATMA1

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.32 грн
10+	190.60 грн
100+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.44 грн
10+	149.12 грн
100+	110.46 грн
500+	98.45 грн
800+	97.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	126.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	290.92 грн
10+	232.56 грн
25+	197.54 грн
100+	150.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N08NF2SATMA1

SP005571694

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	87.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	149.49 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	338.55 грн
10+	215.45 грн
100+	152.78 грн
500+	133.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	388.59 грн
50+	256.81 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	159.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	120.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	369.80 грн
10+	241.17 грн
100+	158.48 грн
500+	139.27 грн
1000+	124.07 грн
2000+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.44 грн
500+	161.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB024N10N5E8197ATMA1

IPB024N10N5E8197ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.53 грн
10+	257.74 грн
100+	179.30 грн
500+	174.49 грн
1000+	148.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	473.91 грн
32+	401.74 грн
50+	305.89 грн
200+	277.31 грн
500+	225.03 грн
1000+	210.49 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	400.47 грн
10+	284.64 грн
100+	226.28 грн
500+	203.44 грн
1000+	153.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	153.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 817 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	255.37 грн
7+	176.09 грн
19+	166.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	516.57 грн
100+	493.15 грн
250+	452.10 грн
500+	429.60 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.42 грн
10+	503.42 грн
25+	498.53 грн
100+	391.88 грн
250+	359.21 грн
500+	291.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.22 грн
10+	260.06 грн
100+	186.36 грн
500+	169.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.20 грн
10+	382.00 грн
100+	268.14 грн
500+	240.13 грн
1000+	204.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 62 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	462.25 грн
3+	397.94 грн
10+	316.17 грн
100+	286.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	240.00 грн
10+	215.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1046000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	285.60 грн
528000+	262.23 грн
792000+	245.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	245.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 7113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.13 грн
10+	322.09 грн
100+	236.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	228.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	176.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.99 грн
10+	336.90 грн
100+	225.72 грн
500+	224.12 грн
1000+	191.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	189.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	200.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	385.21 грн
3+	319.34 грн
10+	263.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	281.94 грн
500+	267.16 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.09 грн
10+	281.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	197.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.02 грн
10+	332.23 грн
100+	255.91 грн
500+	223.45 грн
1000+	169.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	503.48 грн
50+	359.02 грн
100+	326.08 грн
200+	261.48 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.61 грн
10+	166.61 грн
100+	105.66 грн
500+	89.65 грн
1000+	75.00 грн
2000+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.91 грн
500+	81.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	91.87 грн
100+	70.20 грн
1000+	69.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	218.18 грн
65+	195.57 грн
66+	193.61 грн
100+	151.63 грн
250+	138.99 грн
500+	113.60 грн
1000+	92.97 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	126.61 грн
10+	96.08 грн
100+	87.91 грн
500+	81.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.64 грн
10+	147.08 грн
100+	101.92 грн
500+	80.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.76 грн
10+	209.54 грн
25+	207.44 грн
100+	162.46 грн
250+	148.92 грн
500+	121.72 грн
1000+	99.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	423.82 грн
10+	341.21 грн
100+	279.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	123.35 грн
1600+	118.05 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

SP005571706

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.73 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	279.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	358.59 грн
10+	238.41 грн
100+	146.48 грн
500+	136.07 грн
800+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	329.02 грн
10+	220.20 грн
100+	155.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	212.96 грн
6000+	195.54 грн
9000+	182.90 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.45 грн
1000+	388.45 грн
2000+	336.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3 G

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	365.84 грн
37+	350.12 грн
50+	336.78 грн
100+	313.74 грн
250+	281.68 грн
500+	263.06 грн
1000+	256.63 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	212.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3G

на замовлення 586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.90 грн
10+	107.97 грн
100+	73.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3G

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	57.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	154.89 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	142.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	133.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 5840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.62 грн
10+	258.22 грн
100+	184.85 грн
500+	167.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	214.36 грн
500+	203.80 грн
1000+	192.18 грн

Мінімальне замовлення: 148

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.80 грн
10+	199.67 грн
25+	198.67 грн
100+	173.59 грн
250+	146.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	227.17 грн
200+	190.94 грн
500+	172.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	216.34 грн
68+	186.35 грн
69+	185.42 грн
100+	162.02 грн
250+	136.44 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	151.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	165.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.43 грн
10+	243.34 грн
50+	222.68 грн
200+	187.60 грн
500+	171.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	164.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.23 грн
10+	223.68 грн
100+	160.89 грн
500+	160.09 грн
1000+	144.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.83 грн
10+	252.97 грн
100+	180.84 грн
500+	162.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.96 грн
10+	228.07 грн
50+	215.50 грн
200+	187.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	238.90 грн
65+	195.90 грн
100+	172.37 грн
250+	159.45 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 1924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	335.25 грн
10+	232.88 грн
100+	164.09 грн
1000+	140.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	255.96 грн
10+	211.61 грн
25+	209.89 грн
100+	184.68 грн
250+	170.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	215.50 грн
200+	187.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	248.27 грн
54+	238.81 грн
100+	230.70 грн
250+	215.72 грн
500+	194.31 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.00 грн
10+	152.80 грн
100+	95.25 грн
500+	79.88 грн
1000+	68.12 грн
2000+	64.67 грн
5000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	46.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 24609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.16 грн
10+	125.65 грн
100+	88.23 грн
500+	73.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.85 грн
10+	159.83 грн
100+	111.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 800 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	226.28 грн
18+	70.04 грн
47+	66.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	70.50 грн
2000+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.05 грн
10+	148.20 грн
100+	89.65 грн
500+	74.36 грн
1000+	64.51 грн
2000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	60.25 грн
1600+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.00 грн
10+	99.47 грн
100+	67.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.60 грн
10+	87.91 грн
100+	56.67 грн
500+	56.19 грн
800+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	671.58 грн
25+	665.00 грн
100+	634.89 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	726.61 грн
10+	719.55 грн
25+	712.49 грн
100+	680.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	603.26 грн
10+	443.68 грн
100+	312.17 грн
500+	279.35 грн
1000+	236.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	623.41 грн
10+	479.84 грн
100+	383.62 грн
500+	346.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	365.13 грн
10+	213.55 грн
100+	144.88 грн
500+	136.07 грн
1000+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	353.27 грн
10+	224.45 грн
100+	159.05 грн
500+	123.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.27 грн
10+	173.43 грн
100+	125.07 грн
250+	113.39 грн
500+	105.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	391.49 грн
10+	236.15 грн
100+	181.38 грн
500+	158.42 грн
1000+	123.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

на замовлення 992 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	324.33 грн
10+	216.12 грн
100+	150.08 грн
250+	136.07 грн
500+	126.07 грн
1000+	120.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.03 грн
10+	200.67 грн
100+	128.07 грн
500+	114.46 грн
1000+	96.05 грн
2000+	91.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.68 грн
10+	216.40 грн
100+	151.75 грн
500+	125.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.68 грн
10+	180.26 грн
100+	126.38 грн
500+	105.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.09 грн
10+	177.66 грн
100+	118.46 грн
500+	108.06 грн
1000+	91.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	402.48 грн
10+	357.15 грн
100+	254.54 грн
500+	216.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

1+	415.56 грн
10+	366.36 грн
100+	260.94 грн
250+	245.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	365.13 грн
10+	239.33 грн
100+	148.08 грн
500+	138.47 грн
1000+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	344.61 грн
10+	219.45 грн
100+	155.59 грн
500+	135.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	390.59 грн
10+	259.50 грн
100+	184.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	408.96 грн
10+	368.99 грн
25+	352.23 грн
100+	302.71 грн
250+	266.82 грн
500+	237.59 грн
1000+	224.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	122.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	260.40 грн
200+	201.77 грн
500+	178.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.69 грн
10+	253.55 грн
100+	181.28 грн
500+	163.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	421.12 грн
10+	303.50 грн
50+	260.40 грн
200+	201.77 грн
500+	178.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 3406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.61 грн
10+	278.91 грн
100+	173.69 грн
500+	166.49 грн
1000+	141.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	591.48 грн
10+	494.09 грн
25+	477.89 грн
100+	379.48 грн
250+	347.82 грн
500+	309.00 грн
1000+	246.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	552.05 грн
28+	461.15 грн
29+	446.03 грн
100+	354.18 грн
250+	324.63 грн
500+	288.40 грн
1000+	229.97 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LG

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.95 грн
10+	110.84 грн
25+	109.73 грн
100+	104.75 грн
250+	96.02 грн
500+	81.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	119.32 грн
500+	107.71 грн
1000+	99.04 грн

Мінімальне замовлення: 266

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.49 грн
2000+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	119.32 грн
500+	107.71 грн

Мінімальне замовлення: 266

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 22057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	119.32 грн
500+	107.71 грн
1000+	99.04 грн
10000+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 266

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	103.92 грн

Мінімальне замовлення: 214

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3GATMA2

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3GATMA2

N-channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB034N06N3GATMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.58 грн
10+	274.31 грн
25+	224.92 грн
100+	192.90 грн
250+	181.70 грн
500+	171.29 грн
1000+	152.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.94 грн
10+	262.34 грн
25+	224.12 грн
100+	168.89 грн
500+	155.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.97 грн
10+	244.55 грн
100+	174.79 грн
500+	136.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB035N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.17 грн
10+	107.31 грн
100+	73.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB035N10NF2SATMA1

MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.30 грн
10+	121.51 грн
100+	72.28 грн
500+	60.11 грн
800+	52.83 грн
2400+	48.91 грн
4800+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB035N12NM6ATMA1

IPB035N12NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB035N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.14 грн
10+	382.00 грн
100+	268.94 грн
500+	238.53 грн
1000+	204.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3 G

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3G

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	534.23 грн
10+	346.77 грн
100+	251.54 грн
500+	201.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	222.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.53 грн
10+	308.37 грн
100+	226.52 грн
1000+	192.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.53 грн
10+	302.60 грн
100+	246.03 грн
500+	213.45 грн
1000+	169.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.18 грн
10+	133.47 грн
100+	83.24 грн
500+	70.20 грн
1000+	59.31 грн
2000+	56.35 грн
5000+	54.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3 G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.68 грн
10+	121.82 грн
100+	83.54 грн
500+	63.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB037N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.77 грн
10+	80.73 грн
100+	66.68 грн
500+	64.19 грн
1000+	56.27 грн
2000+	54.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3 G

на замовлення 252 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.39 грн
10+	268.78 грн
100+	189.70 грн
500+	168.89 грн
1000+	143.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	516.54 грн
10+	435.08 грн
25+	430.38 грн
100+	321.79 грн
250+	294.97 грн
500+	257.57 грн
1000+	215.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	167.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.70 грн
10+	244.96 грн
100+	174.84 грн
500+	156.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.60 грн
10+	204.72 грн
50+	202.93 грн
200+	185.93 грн
500+	168.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	141.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.23 грн
10+	189.62 грн
100+	161.69 грн
500+	160.09 грн
1000+	135.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB038N12N3GATMA1

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	202.93 грн
200+	185.93 грн
500+	168.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	319.66 грн
10+	277.46 грн
100+	247.82 грн
500+	211.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.53 грн
10+	199.57 грн
25+	186.36 грн
100+	169.84 грн
250+	156.05 грн
500+	148.72 грн
1000+	147.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.16 грн
10+	275.23 грн
100+	194.50 грн
500+	173.69 грн
1000+	146.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	247.82 грн
500+	211.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	210.51 грн
70+	183.40 грн
74+	171.74 грн
100+	156.65 грн
250+	144.51 грн
500+	138.23 грн
1000+	137.72 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

IPB038N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.44 грн
10+	206.19 грн
100+	132.07 грн
500+	116.86 грн
1000+	99.25 грн
2000+	94.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3 G

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3G

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.84 грн
10+	169.01 грн
100+	130.85 грн
500+	110.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	269.38 грн
10+	199.34 грн
100+	155.34 грн
500+	128.40 грн
1000+	97.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.77 грн
10+	203.43 грн
100+	124.87 грн
500+	110.46 грн
1000+	94.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101.22 грн
2000+	96.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

TO-263

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	109.41 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LB G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	119.69 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

IPB0401NM5S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.66 грн
10+	243.88 грн
100+	180.60 грн
500+	146.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB0401NM5SATMA1

SP004565816

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB0401NM5SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.27 грн
10+	178.43 грн
100+	125.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.61 грн
500+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.36 грн
10+	150.04 грн
100+	100.85 грн
500+	96.85 грн
800+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

SP005571698

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB040N08NF2SATMA1

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.48 грн
10+	162.52 грн
100+	126.61 грн
500+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04N G

TO-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB041N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N03L G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N03LGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3 G

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	190.97 грн
69+	183.70 грн
100+	177.47 грн
250+	165.94 грн
500+	149.47 грн
1000+	139.98 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.52 грн
10+	138.99 грн
100+	86.45 грн
500+	73.00 грн
1000+	61.71 грн
2000+	58.67 грн
5000+	58.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	132.92 грн
100+	127.85 грн
103+	123.52 грн
250+	115.49 грн
500+	104.03 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.65 грн
10+	138.99 грн
100+	82.44 грн
500+	66.84 грн
1000+	58.59 грн
2000+	56.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.44 грн
200+	95.05 грн
500+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	73.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 19389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.41 грн
10+	122.65 грн
100+	84.27 грн
500+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	120.80 грн
115+	110.81 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	170.60 грн
10+	117.63 грн
50+	110.44 грн
200+	95.05 грн
500+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.01 грн
2000+	56.37 грн
3000+	55.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10NF2SATMA1

IPB042N10NF2SATMA1

на замовлення 898400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	117.21 грн

Мінімальне замовлення: 271

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10NF2SATMA1

SP005557198

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10NF2SATMA1

IPB042N10NF2SATMA1

на замовлення 459200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	117.21 грн

Мінімальне замовлення: 271

В кошику од. на суму грн.

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.39 грн
500+	65.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	181.16 грн
10+	115.98 грн
100+	68.20 грн
500+	56.03 грн
800+	54.19 грн
2400+	45.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	171.44 грн
10+	105.89 грн
100+	72.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.56 грн
10+	124.81 грн
100+	85.39 грн
500+	65.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	74.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	185.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	164.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	408.10 грн
36+	356.15 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	197.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 341000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	238.89 грн
170000+	219.34 грн
255000+	205.17 грн
340000+	187.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	366.63 грн
43+	295.46 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.04 грн
10+	307.09 грн
50+	273.86 грн
200+	223.45 грн
500+	203.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	247.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 10936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	235.48 грн
500+	223.86 грн
1000+	211.19 грн
10000+	191.43 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.70 грн
10+	277.99 грн
100+	192.90 грн
500+	189.70 грн
1000+	160.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 4172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.86 грн
10+	274.90 грн
100+	197.66 грн
500+	181.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.25 грн
10+	381.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	366.63 грн
41+	310.59 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5ATMA1

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	273.86 грн
200+	223.45 грн
500+	203.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB044N15N5E8187ATMA1

SP004531436

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	567.42 грн
29+	444.51 грн
30+	429.10 грн
100+	329.56 грн
500+	277.07 грн
1000+	259.79 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	422.02 грн
10+	300.80 грн
100+	252.31 грн
500+	220.12 грн
1000+	193.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	152.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	579.91 грн
10+	433.55 грн
25+	358.59 грн
100+	273.75 грн
250+	272.95 грн
500+	251.33 грн
1000+	248.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	606.92 грн
10+	475.46 грн
25+	458.97 грн
100+	352.50 грн
500+	296.36 грн
1000+	277.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	588.16 грн
50+	582.88 грн
100+	561.05 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

на замовлення 4206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	300.80 грн
100+	252.31 грн
500+	220.12 грн
1000+	193.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.35 грн
10+	259.39 грн
100+	185.74 грн
500+	168.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	294.31 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	364.20 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	355.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	570.18 грн
10+	395.08 грн
100+	371.74 грн
500+	344.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	488.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	607.17 грн
50+	593.44 грн
100+	571.23 грн
200+	527.98 грн
500+	452.55 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	376.52 грн
10+	345.11 грн
25+	341.68 грн
100+	321.01 грн
250+	289.39 грн
500+	270.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	380.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	764.81 грн
10+	529.28 грн
100+	347.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	516.91 грн
10+	335.68 грн
100+	248.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.78 грн
10+	128.87 грн
100+	94.45 грн
500+	83.24 грн
1000+	69.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.96 грн
10+	157.33 грн
100+	108.98 грн
500+	82.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB049N08N5ATMA1

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	223.58 грн
10+	138.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.09 грн
10+	261.42 грн
100+	181.70 грн
500+	149.68 грн
1000+	124.87 грн
2000+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3G

на замовлення 366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	93.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.83 грн
10+	277.99 грн
100+	194.50 грн
500+	160.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.11 грн
10+	157.67 грн
100+	114.32 грн
500+	89.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04CN10NG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04CN10NGANBRUCH

inf

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04CN10NGANBRUCH

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04CN10NGANBRUCH

0825

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAGATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAT

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB04N03LBG

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N06NGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	178.69 грн
10+	120.32 грн
100+	80.81 грн
500+	70.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.22 грн
10+	110.46 грн
100+	64.59 грн
500+	60.27 грн
800+	42.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.81 грн
500+	70.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.33 грн
10+	98.64 грн
100+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB050N10NF2SATMA1

SP005571710

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	55.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB051N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.22 грн
10+	179.50 грн
100+	122.47 грн
500+	103.26 грн
1000+	86.45 грн
2000+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	124.01 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NGATMA1

IPB051NE8NGATMA1

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	157.34 грн
500+	149.94 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04N G

TO-263

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 693

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.88 грн
10+	128.87 грн
100+	89.65 грн
250+	81.64 грн
500+	74.44 грн
1000+	64.11 грн
2000+	60.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3G

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.28 грн
10+	99.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.91 грн
10+	129.79 грн
100+	79.64 грн
500+	64.27 грн
1000+	59.39 грн
2000+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.75 грн
10+	117.23 грн
100+	80.38 грн
500+	60.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.29 грн
10+	135.31 грн
100+	92.85 грн
250+	86.45 грн
500+	79.64 грн
1000+	67.32 грн
2000+	63.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3G

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.68 грн
10+	105.86 грн
100+	69.00 грн
250+	68.76 грн
500+	61.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.55 грн
10+	122.48 грн
100+	84.18 грн
500+	63.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB055N03L G
Код товару: 61412

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB055N08NF2SATMA1

SP005571702

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.77 грн
10+	112.89 грн
100+	77.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB055N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06N
Код товару: 176082

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	185.83 грн
10+	116.90 грн
100+	70.92 грн
500+	59.71 грн
1000+	49.79 грн
2000+	45.94 грн
5000+	43.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.36 грн
200+	76.12 грн
500+	64.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.23 грн
10+	142.54 грн
25+	131.92 грн
100+	109.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 1251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.12 грн
10+	101.22 грн
100+	68.72 грн
500+	54.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	133.03 грн
103+	123.12 грн
121+	105.52 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	175.99 грн
10+	122.12 грн
50+	102.36 грн
200+	76.12 грн
500+	64.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 1111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.62 грн
10+	104.02 грн
100+	63.47 грн
500+	56.27 грн
1000+	49.23 грн
2000+	43.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB057N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.68 грн
10+	174.89 грн
100+	116.06 грн
500+	98.45 грн
1000+	82.44 грн
2000+	79.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	291.82 грн
10+	189.46 грн
100+	145.46 грн
500+	114.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	145.46 грн
500+	114.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.96 грн
10+	158.08 грн
100+	109.96 грн
500+	88.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10NG

INFINE0N

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.27 грн
10+	187.26 грн
25+	184.23 грн
50+	174.84 грн
100+	159.20 грн
250+	150.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA

07+;

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	48.90 грн

Мінімальне замовлення: 507

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA

04+ D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LAT

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB G

TO-263

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.83 грн
10+	279.83 грн
100+	174.49 грн
500+	167.29 грн
1000+	141.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	211.01 грн
500+	172.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 2292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.77 грн
10+	249.47 грн
100+	178.39 грн
500+	160.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	409.45 грн
10+	292.72 грн
100+	211.01 грн
500+	172.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	145.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB060N15N5E8187ATMA1

SP001863630

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03L G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LG

08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.69 грн
25+	36.10 грн
50+	34.24 грн
100+	31.18 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	66.84 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06L G

TO-263

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06L G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.66 грн
10+	138.74 грн
100+	95.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.27 грн
10+	268.89 грн
25+	250.21 грн
100+	209.06 грн
250+	143.16 грн
500+	136.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.10 грн
10+	274.31 грн
100+	192.10 грн
500+	158.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3 G

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	596.65 грн
25+	571.02 грн
50+	549.26 грн
100+	511.68 грн
250+	459.41 грн
500+	429.03 грн
1000+	418.53 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3G

на замовлення 845 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	376.23 грн
10+	301.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	228.17 грн
60+	211.78 грн
100+	200.39 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	198.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	265.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	371.69 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 1383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.67 грн
10+	319.34 грн
100+	233.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	244.47 грн
10+	229.17 грн
25+	226.91 грн
100+	214.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Old Part IPB065N15N3GE8187XT^INFINEON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	180.23 грн
10+	146.36 грн
100+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 5287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.05 грн
10+	154.00 грн
100+	111.75 грн
500+	87.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	77.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	592.62 грн
5+	510.91 грн
10+	428.31 грн
50+	364.36 грн
100+	304.78 грн
250+	298.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	257.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	428.31 грн
50+	364.36 грн
100+	304.78 грн
250+	298.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 5481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	600.03 грн
10+	392.46 грн
100+	302.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB068N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.76 грн
10+	394.89 грн
100+	284.95 грн
1000+	253.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06CNE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06CNE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

07+;

на замовлення 442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

0544+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

0237+ TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LA G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LAT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LAT

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LB

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LB G

TO-263

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB06N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB06P001LATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB070N06L G