Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB-032SIMounting Fixings
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
11+30.80 грн
100+21.40 грн
500+19.33 грн
1000+17.95 грн
2000+17.47 грн
10000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0420SIMounting Fixings
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+36.36 грн
100+25.34 грн
500+22.78 грн
1000+21.19 грн
2000+20.57 грн
10000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-0518SIMounting Fixings
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+40.33 грн
100+27.34 грн
500+25.68 грн
1000+25.20 грн
2000+24.37 грн
5000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-256SIMounting Fixings
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
17+19.13 грн
100+13.32 грн
500+11.94 грн
1000+11.11 грн
2000+10.84 грн
10000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-M3SIMounting Fixings
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.01 грн
100+13.88 грн
500+12.50 грн
1000+11.67 грн
2000+11.32 грн
10000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB-M5SIMounting Fixings
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
11+30.80 грн
100+21.40 грн
500+19.33 грн
1000+17.95 грн
2000+17.47 грн
10000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03L G
Код товару: 132260
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+285.01 грн
100+202.96 грн
500+173.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.34 грн
10+304.85 грн
100+214.01 грн
500+191.22 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NInfineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 15259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.90 грн
10+285.91 грн
100+206.58 грн
500+180.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+394.54 грн
44+322.91 грн
100+259.80 грн
250+238.11 грн
500+218.86 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.34 грн
10+304.44 грн
50+262.56 грн
200+204.92 грн
500+180.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.14 грн
10+411.18 грн
100+303.97 грн
500+281.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.77 грн
500+276.41 грн
1000+261.06 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.38 грн
10+300.09 грн
100+188.46 грн
500+180.18 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.77 грн
500+276.41 грн
1000+261.06 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+377.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+394.54 грн
10+326.12 грн
25+322.91 грн
100+259.80 грн
250+238.11 грн
500+218.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.14 грн
2000+157.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+265.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.15 грн
35+414.02 грн
100+306.07 грн
500+283.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+337.46 грн
200+256.52 грн
500+225.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.55 грн
10+188.15 грн
100+122.19 грн
500+103.55 грн
1000+93.89 грн
2000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.94 грн
50+297.68 грн
500+295.31 грн
1000+257.43 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.89 грн
10000+136.71 грн
15000+127.88 грн
20000+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.23 грн
98+145.06 грн
99+144.21 грн
119+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.80 грн
10+190.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+164.34 грн
100+105.62 грн
500+92.51 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+227.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.57 грн
74+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.08 грн
10+204.47 грн
100+143.46 грн
500+110.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.23 грн
10+145.06 грн
25+144.21 грн
100+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N (транзистори)
Код товару: 50026
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.93 грн
10+224.67 грн
100+146.35 грн
500+127.02 грн
1000+107.69 грн
2000+106.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.41 грн
104+136.74 грн
106+134.85 грн
110+124.57 грн
250+113.57 грн
500+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.41 грн
10+136.74 грн
25+134.85 грн
100+124.57 грн
250+113.57 грн
500+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+196.89 грн
25+166.37 грн
100+123.57 грн
500+122.88 грн
800+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.22 грн
10+197.32 грн
100+147.39 грн
500+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGInfineon technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.86 грн
2000+137.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.07 грн
10+227.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+403.99 грн
50+285.86 грн
60+239.79 грн
100+218.70 грн
200+201.45 грн
500+175.16 грн
1000+165.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.07 грн
2000+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.89 грн
500+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.58 грн
136+104.86 грн
137+104.22 грн
144+94.94 грн
250+85.79 грн
500+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
10+151.14 грн
100+105.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.84 грн
10+180.41 грн
100+132.89 грн
500+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+148.46 грн
100+96.65 грн
500+64.13 грн
800+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.58 грн
10+104.86 грн
25+104.22 грн
100+94.94 грн
250+85.79 грн
500+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.01 грн
10+181.21 грн
100+157.05 грн
500+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 203nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.28 грн
10+258.81 грн
100+165.68 грн
500+147.04 грн
800+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.94 грн
10+217.48 грн
100+154.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.05 грн
500+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N10NM8ATMA1Infineon Technologies OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.94 грн
500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+58.03 грн
246+57.85 грн
256+55.41 грн
261+52.50 грн
500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.93 грн
14+58.03 грн
25+57.85 грн
100+53.43 грн
250+48.61 грн
500+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.42 грн
10+83.76 грн
100+56.94 грн
500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+165.13 грн
100+114.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+231.82 грн
100+150.49 грн
500+130.47 грн
1000+110.45 грн
2000+109.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NInfineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.62 грн
50+296.73 грн
200+270.27 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.68 грн
200+160.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.20 грн
10+203.35 грн
100+144.00 грн
500+116.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]