IPB073N15N5ATMA1


Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475
Код товару: 219572
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

очікується 24 шт:

24 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB073N15N5ATMA1 за ціною від 101.35 грн до 356.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+112.26 грн
2000+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+135.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.00 грн
200+146.75 грн
500+124.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+212.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.01 грн
10+199.78 грн
100+141.16 грн
500+113.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB073N15N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.68 грн
10+204.77 грн
100+130.58 грн
500+111.72 грн
1000+104.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.68 грн
10+207.74 грн
50+180.04 грн
200+141.46 грн
500+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+356.52 грн
56+254.11 грн
100+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

R-78K5.0-0.5
Код товару: 207156
Додати до обраних Обраний товар
R-78K-0.5.pdf
товару немає в наявності
очікується: 3 шт
3 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
R-78K12-1.0
Код товару: 219576
Додати до обраних Обраний товар
R-78K-1.0.pdf
товару немає в наявності
очікується: 2 шт
2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
RS-243.3S
Код товару: 219580
Додати до обраних Обраний товар
RS.pdf
товару немає в наявності
очікується: 1 шт
1 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
ISO6761FDWR
Код товару: 219573
Додати до обраних Обраний товар
iso6761.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS06-32.768KHZ-1-T
Код товару: 219571
Додати до обраних Обраний товар
ABS06.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.