Інші пропозиції IPB073N15N5ATMA1 за ціною від 151.84 грн до 398.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 3243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB073N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 160.35 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 162.37 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 162.37 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 162.57 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 212.51 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 355.73 грн |
| 56+ | 253.55 грн |
| 100+ | 201.48 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 391.91 грн |
| 10+ | 251.42 грн |
| 50+ | 197.30 грн |
| 100+ | 168.81 грн |
| 500+ | 151.84 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 397.79 грн |
| 10+ | 253.82 грн |
| 100+ | 207.97 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 398.48 грн |
| 56+ | 254.25 грн |
| 100+ | 208.31 грн |
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB073N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| R-78K5.0-0.5 Код товару: 207156
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R-78K12-1.0 Код товару: 219576
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS-243.3S Код товару: 219580
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISO6761FDWR Код товару: 219573
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ABS06-32.768KHZ-1-T Код товару: 219571
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






