Інші пропозиції IPB073N15N5ATMA1 за ціною від 101.20 грн до 323.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Gate charge: 49nC On-state resistance: 7.3mΩ Drain current: 81A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V |
товару немає в наявності |