Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R180P7

IPB60R180P7

Код товару: 182766
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R180P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R180P7 IPB60R180P7 Infineon Technologies Infineon_IPB60R180P7_DS_v02_01_EN-3362523.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7 Infineon_IPB60R180P7_DS_v02_01_EN-3362523.pdf
IPB60R180P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.