Продукція > INFINEON > IPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

INFNS11807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.52 грн
500+85.83 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB80N04S2H4ATMA2 за ціною від 78.52 грн до 393.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N04S2H4-ATMA2 IPB80N04S2H4-ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+152.90 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+189.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N04S2-H4.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.44 грн
10+160.01 грн
100+122.12 грн
500+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB80N04S2_H4_DataSheet_v01_01_EN-2320569.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.91 грн
10+178.51 грн
25+139.78 грн
100+119.92 грн
250+109.62 грн
500+103.00 грн
1000+94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS11807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.66 грн
10+182.39 грн
100+134.52 грн
500+85.83 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+393.48 грн
37+330.44 грн
50+251.14 грн
100+241.19 грн
200+210.61 грн
500+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N04S2H4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N04S2-H4.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2-H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N04S2H4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.