Продукція > INFINEON > IPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

INFNS11807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.42 грн
500+101.51 грн
1000+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB80N04S2H4ATMA2 за ціною від 84.11 грн до 401.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N04S2H4-ATMA2 IPB80N04S2H4-ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+159.48 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+193.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N04S2-H4.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.91 грн
10+166.89 грн
100+127.37 грн
500+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS11807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.32 грн
10+184.20 грн
100+133.42 грн
500+101.51 грн
1000+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB80N04S2_H4_DataSheet_v01_01_EN-2320569.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.87 грн
10+186.19 грн
25+145.79 грн
100+125.07 грн
250+114.33 грн
500+107.42 грн
1000+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+401.07 грн
37+336.81 грн
50+255.98 грн
100+245.84 грн
200+214.67 грн
500+181.21 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N04S2-H4.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2-H4ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.