IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.00 грн |
| 5000+ | 20.48 грн |
| 7500+ | 19.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD25N06S4L30ATMA2 за ціною від 19.80 грн до 87.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 36407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 160304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 27046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPD25N06S4L-30ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 29W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2 |
товару немає в наявності |