Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2

Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Код товару: 209229
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD25N06S4L30ATMA2 за ціною від 19.71 грн до 88.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.09 грн
5000+20.56 грн
7500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.62 грн
500+29.40 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 27046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.78 грн
10+48.55 грн
100+32.63 грн
500+26.15 грн
1000+23.61 грн
2500+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.02 грн
10+53.37 грн
100+35.25 грн
500+25.77 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
50+58.63 грн
100+40.62 грн
500+29.40 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.09 грн
5000+20.56 грн
7500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.62 грн
500+29.40 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 27046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.78 грн
10+48.55 грн
100+32.63 грн
500+26.15 грн
1000+23.61 грн
2500+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.02 грн
10+53.37 грн
100+35.25 грн
500+25.77 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
50+58.63 грн
100+40.62 грн
500+29.40 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Код товару: 108531
1 Додати до обраних Обраний товар
lrs-350-mean_well.pdf
Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Виробник: MeanWell
Блоки та елементи живлення > AC / DC блоки живлення що вбудовуються
Тип: Блок живлення в металевому корпусі, що вбудовується
Uвх.: 180...264 VAC
Uвих., V: 12 V
Iвих., A: 29 A
Pмакс., W: 350 W
Габарити: 215x115x30 mm
ККД і робоча температура: 85%, -25...70°C
у наявності: 23 шт
  • 12 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+1650.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
Код товару: 57265
1 Додати до обраних Обраний товар
Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
Хімія > Теплопровідні матеріали
Опис: Паста теплопровідна кремнійорганічна. Упаковка: тюбик.
Призначення: Паста теплопровідна
Упаковка / Розмір: 17 г
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 W/mK
у наявності: 9 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 225 шт
  • 9 шт - очікується
  • 216 шт - очікується
КількістьЦіна
1+48.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.