Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.16 грн
25+24.77 грн
100+23.50 грн
250+21.41 грн
500+20.21 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD25N06S4L30ATMA2 за ціною від 19.61 грн до 107.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+27.09 грн
457+26.67 грн
464+26.25 грн
472+24.90 грн
500+22.68 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 31565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.27 грн
500+26.22 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.97 грн
50+36.64 грн
100+32.27 грн
500+26.22 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2
Код товару: 209229
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.39 грн
5000+21.56 грн
7500+21.20 грн
12500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
10+34.63 грн
100+30.56 грн
500+26.25 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN-1731644.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 41492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.04 грн
10+37.90 грн
100+28.62 грн
500+25.03 грн
1000+23.41 грн
2500+21.14 грн
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.23 грн
10+87.19 грн
100+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L-30ATMA2 IPD25N06S4L-30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.