Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2

Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Код товару: 209229
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD25N06S4L30ATMA2 за ціною від 19.44 грн до 86.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.78 грн
5000+20.29 грн
7500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+30.23 грн
477+29.30 грн
500+28.84 грн
1000+27.63 грн
2500+24.92 грн
5000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.06 грн
25+30.58 грн
100+29.02 грн
250+26.43 грн
500+24.96 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+31.06 грн
457+30.58 грн
464+30.10 грн
472+28.54 грн
500+26.00 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.18 грн
500+26.29 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
859+40.65 грн
1000+37.49 грн
10000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 859
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
859+40.65 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 859
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
859+40.65 грн
1000+37.49 грн
10000+33.43 грн
100000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 859
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.40 грн
50+43.24 грн
100+36.18 грн
500+26.29 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 27046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.90 грн
10+47.90 грн
100+32.20 грн
500+25.80 грн
1000+23.30 грн
2500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.84 грн
10+52.66 грн
100+34.77 грн
500+25.43 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L-30ATMA2 IPD25N06S4L-30ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Код товару: 108531
1 Додати до обраних Обраний товар
lrs-350-mean_well.pdf
Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
+1
Виробник: MeanWell
Блоки та елементи живлення > AC / DC блоки живлення що вбудовуються
Тип: Блок живлення в металевому корпусі, що вбудовується
Uвх.: 180...264 VAC
Uвих., V: 12 V
Iвих., A: 29 A
Pмакс., W: 350 W
Габарити: 215x115x30 mm
ККД і робоча температура: 85%, -25...70°C
у наявності: 25 шт
14 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+1650.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
Код товару: 57265
1 Додати до обраних Обраний товар
Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
+1
Хімія > Теплопровідні матеріали
Опис: Паста теплопровідна кремнійорганічна. Упаковка: тюбик.
Призначення: Паста теплопровідна
Упаковка / Розмір: 17 г
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 W/mK
у наявності: 178 шт
140 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+42.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.