Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2

Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Код товару: 209229
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD25N06S4L30ATMA2 за ціною від 20.85 грн до 93.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.43 грн
5000+21.75 грн
7500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+30.44 грн
477+29.50 грн
500+29.03 грн
1000+27.82 грн
2500+25.09 грн
5000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.27 грн
25+30.79 грн
100+29.22 грн
250+26.61 грн
500+25.13 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.27 грн
457+30.79 грн
464+30.30 грн
472+28.74 грн
500+26.17 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
10000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
10000+33.65 грн
100000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.14 грн
10+56.48 грн
100+37.29 грн
500+27.26 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 23607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.43 грн
5000+21.75 грн
7500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+30.44 грн
477+29.50 грн
500+29.03 грн
1000+27.82 грн
2500+25.09 грн
5000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.27 грн
25+30.79 грн
100+29.22 грн
250+26.61 грн
500+25.13 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+31.27 грн
457+30.79 грн
464+30.30 грн
472+28.74 грн
500+26.17 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
10000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
859+40.93 грн
1000+37.74 грн
10000+33.65 грн
100000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.14 грн
10+56.48 грн
100+37.29 грн
500+27.26 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 23607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Код товару: 108531
1 Додати до обраних Обраний товар
lrs-350-mean_well.pdf
Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12Блок живлення що вбудовується 350W 12V LRS-350-12
Виробник: MeanWell
Блоки та елементи живлення > AC / DC блоки живлення що вбудовуються
Тип: Блок живлення в металевому корпусі, що вбудовується
Uвх.: 180...264 VAC
Uвих., В: 12 В
Iвих., А: 29 А
Pмакс., Вт: 350 Вт
Габарити: 215x115x30 мм
ККД і робоча температура: 85%, -25...70°С
у наявності: 19 шт
  • 9 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+1650.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Теплопровідна паста КПТ-8 (тюбик 17г)
Код товару: 57265
1 Додати до обраних Обраний товар
Теплопровідна паста КПТ-8 (тюбик 17г)Теплопровідна паста КПТ-8 (тюбик 17г)
Теплопровідна паста КПТ-8 (тюбик 17г)Теплопровідна паста КПТ-8 (тюбик 17г)
Хімія > Теплопровідні матеріали
Опис: Кремнійорганічна теплопровідна паста. Упаковка: тюбик.
Призначення: Теплопровідна паста
Упаковка / Розмір: 17 г
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 Вт/(м·К)
у наявності: 17 шт
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+48.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.