Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S407ATMA2
IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.76 грн
5000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S407ATMA2 за ціною від 32.75 грн до 132.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+48.32 грн
269+47.59 грн
273+46.87 грн
277+44.50 грн
281+40.56 грн
500+38.32 грн
1000+37.70 грн
3000+37.08 грн
6000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.95 грн
10+45.27 грн
100+38.26 грн
500+37.24 грн
1000+37.16 грн
2500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.54 грн
15+51.77 грн
25+50.99 грн
50+48.42 грн
100+44.15 грн
250+41.72 грн
500+41.05 грн
1000+40.39 грн
3000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+67.24 грн
528+60.52 грн
1000+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+81.10 грн
100+54.53 грн
500+40.48 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd90n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 79W
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.