Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S407ATMA2
IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipd90n06s4-07-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.03 грн
7500+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S407ATMA2 за ціною від 40.24 грн до 162.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+55.35 грн
269+54.52 грн
273+53.69 грн
277+50.97 грн
281+46.46 грн
500+43.89 грн
1000+43.18 грн
3000+42.47 грн
6000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.17 грн
15+55.35 грн
25+54.52 грн
50+51.77 грн
100+47.20 грн
250+44.60 грн
500+43.89 грн
1000+43.18 грн
3000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+77.03 грн
528+69.33 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd90n06s4_07_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+152.40 грн
10+83.14 грн
100+56.98 грн
500+45.49 грн
1000+43.62 грн
2500+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90n06s4-07-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+99.73 грн
50+75.30 грн
100+63.28 грн
500+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+55.35 грн
269+54.52 грн
273+53.69 грн
277+50.97 грн
281+46.46 грн
500+43.89 грн
1000+43.18 грн
3000+42.47 грн
6000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.17 грн
15+55.35 грн
25+54.52 грн
50+51.77 грн
100+47.20 грн
250+44.60 грн
500+43.89 грн
1000+43.18 грн
3000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
475+77.03 грн
528+69.33 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineon_ipd90n06s4_07_datasheet_en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.40 грн
10+83.14 грн
100+56.98 грн
500+45.49 грн
1000+43.62 грн
2500+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineon-ipd90n06s4-07-datasheet-cn.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
10+99.73 грн
50+75.30 грн
100+63.28 грн
500+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.