Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S407ATMA2
IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S407ATMA2 за ціною від 31.62 грн до 64.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.40 грн
10+40.30 грн
100+38.72 грн
500+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.65 грн
269+45.95 грн
273+45.25 грн
277+42.96 грн
281+39.16 грн
500+36.99 грн
1000+36.39 грн
3000+35.79 грн
6000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.26 грн
10+43.70 грн
100+36.94 грн
500+35.95 грн
1000+35.87 грн
2500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.73 грн
15+49.98 грн
25+49.23 грн
50+46.75 грн
100+42.62 грн
250+40.27 грн
500+39.63 грн
1000+38.99 грн
3000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+64.92 грн
528+58.43 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd90n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.