Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S407ATMA2
IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.30 грн
7500+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S407ATMA2 за ціною від 40.32 грн до 159.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+53.44 грн
269+52.64 грн
273+51.84 грн
277+49.22 грн
281+44.86 грн
500+42.38 грн
1000+41.69 грн
3000+41.01 грн
6000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.24 грн
15+53.44 грн
25+52.64 грн
50+49.99 грн
100+45.57 грн
250+43.06 грн
500+42.38 грн
1000+41.69 грн
3000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+74.37 грн
528+66.94 грн
1000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.81 грн
10+98.13 грн
50+74.11 грн
100+62.28 грн
500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+53.44 грн
269+52.64 грн
273+51.84 грн
277+49.22 грн
281+44.86 грн
500+42.38 грн
1000+41.69 грн
3000+41.01 грн
6000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+54.24 грн
15+53.44 грн
25+52.64 грн
50+49.99 грн
100+45.57 грн
250+43.06 грн
500+42.38 грн
1000+41.69 грн
3000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
475+74.37 грн
528+66.94 грн
1000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.81 грн
10+98.13 грн
50+74.11 грн
100+62.28 грн
500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon_IPD90N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf
IPD90N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.