Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S407ATMA2
IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.94 грн
5000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S407ATMA2 за ціною від 29.00 грн до 121.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.36 грн
10+40.09 грн
100+33.89 грн
500+32.98 грн
1000+32.91 грн
2500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+48.87 грн
269+48.14 грн
273+47.41 грн
277+45.01 грн
281+41.02 грн
500+38.76 грн
1000+38.13 грн
3000+37.50 грн
6000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.15 грн
15+52.36 грн
25+51.58 грн
50+48.98 грн
100+44.65 грн
250+42.20 грн
500+41.53 грн
1000+40.85 грн
3000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+68.02 грн
528+61.22 грн
1000+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+74.70 грн
100+50.22 грн
500+37.29 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.