Інші пропозиції IPN50R3K0CEATMA1 за ціною від 14.40 грн до 16.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
на замовлення 16310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPN50R3K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 16310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2184+ | 16.16 грн |
| 10000+ | 14.40 грн |
| IPN50R3K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 847+ | 16.66 грн |
| 879+ | 16.06 грн |
| 1000+ | 15.54 грн |
| IPN50R3K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPN50R3K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
З цим товаром купують
| LTC4366ITS8-1#TRMPBF Код товару: 191116
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SD6030-220-R Код товару: 188135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 210.00 грн |
| 10+ | 195.00 грн |
| SIS438DN-T1-GE3 Код товару: 186242
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VB20200C-E3/8W Код товару: 186199
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





