IPN50R3K0CEATMA1


Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5
Код товару: 193023
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN50R3K0CEATMA1 за ціною від 13.23 грн до 15.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1319infineon-ipn50r3k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 16310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+14.85 грн
10000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1319infineon-ipn50r3k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+15.31 грн
879+14.75 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002272755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002272755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1 IPN50R3K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN50R3K0CE_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LTC4366ITS8-1#TRMPBF
Код товару: 191116
Додати до обраних Обраний товар
436612fe.pdf

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SD6030-220-R
Код товару: 188135
Додати до обраних Обраний товар
eaton-sd6030-low-profile-shielded-drum-core-power-inductors-data-sheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3
Код товару: 188008
Додати до обраних Обраний товар
sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+210.00 грн
10+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242
Додати до обраних Обраний товар
sis438dn.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VB20200C-E3/8W
Код товару: 186199
Додати до обраних Обраний товар
v20200c.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.