IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.67 грн |
| 6000+ | 8.84 грн |
| 9000+ | 8.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.
Інші пропозиції IPN50R3K0CEATMA1 за ціною від 7.9 грн до 31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V |
на замовлення 12067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPN50R3K0CEATMA1 Код товару: 193023 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.6A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |