Інші пропозиції SIS438DN-T1-GE3 за ціною від 19.74 грн до 87.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V |
на замовлення 28231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SiS438DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.88 грн |
| 6000+ | 19.97 грн |
| SiS438DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.26 грн |
| 10+ | 47.32 грн |
| 100+ | 29.96 грн |
| 500+ | 23.54 грн |
| 1000+ | 21.40 грн |
| 3000+ | 19.74 грн |
| SiS438DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 28231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.76 грн |
| 10+ | 53.10 грн |
| 100+ | 34.99 грн |
| 500+ | 25.53 грн |
| 1000+ | 23.17 грн |
З цим товаром купують
| SIS434DN-T1-GE3 Код товару: 209118
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39014
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3875 шт
- 2080 шт - склад
- 700 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 915 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27714
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 4881 шт
- 4491 шт - склад
- 390 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 16718
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 pF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 pF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3448 шт
- 565 шт - склад
- 523 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 125 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2150 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 620 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 11312
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 620 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 620 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3487 шт
- 97 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 690 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2190 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 510 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |