Інші пропозиції SIS438DN-T1-GE3 за ціною від 17.58 грн до 75.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V |
на замовлення 34068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 6791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIS438DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 17.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 17.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |