Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

sis438dn.pdf
Код товару: 186242
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS438DN-T1-GE3 за ціною від 20.11 грн до 88.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.02 грн
6000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 Vishay sis438dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 28231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.37 грн
10+53.47 грн
100+35.23 грн
500+25.70 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis438dn.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.02 грн
6000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SIS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 28231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.37 грн
10+53.47 грн
100+35.23 грн
500+25.70 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS438DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3 VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS438DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SIS434DN-T1-GE3
Код товару: 209118
Додати до обраних Обраний товар
sis434dn.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39014
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 3875 шт
  • 2080 шт - склад
  • 700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 915 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 700 шт
  • 700 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27714
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 4581 шт
  • 4191 шт - склад
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 16718
1 Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3418 шт
  • 535 шт - склад
  • 523 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 125 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2150 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
620 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 11312
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
620 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 620 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 3487 шт
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 690 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2190 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 510 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 4200 шт
  • 4200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.