IPP180N10N3GXKSA1


IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d
Код товару: 150492
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 32.00 грн до 137.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.02 грн
50+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.92 грн
50+61.19 грн
100+54.68 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP180N10N3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.84 грн
10+64.94 грн
100+48.17 грн
500+38.68 грн
1000+37.69 грн
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3G-dte.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.02 грн
50+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
50+61.19 грн
100+54.68 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 Infineon_IPP180N10N3_G_DS_v02_02_en.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.84 грн
10+64.94 грн
100+48.17 грн
500+38.68 грн
1000+37.69 грн
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IPI180N10N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 216665
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-5K
Код товару: 204796
1 Додати до обраних Обраний товар
LA42DWQ-1.pdf
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
у наявності: 125 шт
117 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+75.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-3K
Код товару: 204795
Додати до обраних Обраний товар
LA42DWQ-1.pdf
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 3 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
у наявності: 3 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+75.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Li-Ion 7000mAh, 11,1V, 150x65x90mm EEMB літій-іонний акумулятор з виводами SLM7H12-L
Код товару: 188653
Додати до обраних Обраний товар
SLM7H12-L_12V_7Ah.pdf
Li-Ion 7000mAh, 11,1V, 150x65x90mm EEMB літій-іонний акумулятор з виводами SLM7H12-L
Виробник: EEMB
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 150x65x90 мм
Ємність: 7000 mAh
Форма: паралелепіпед
Напруга, V: 11,1 V
Максимальний струм розряду: 7 A
Вага: 700 g
Відмінності: з контактами
у наявності: 2 шт
1 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+2250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.