IPP180N10N3GXKSA1

IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 27.54 грн до 141.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+48.21 грн
268+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON 1849755.html Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.60 грн
20+43.98 грн
100+37.36 грн
500+31.86 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP180N10N3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.17 грн
25+38.93 грн
100+33.07 грн
500+32.99 грн
1000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+55.86 грн
242+51.51 грн
264+47.26 грн
271+44.27 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.85 грн
14+51.65 грн
100+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+59.51 грн
222+56.20 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.80 грн
12+63.85 грн
100+60.30 грн
500+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.92 грн
50+65.49 грн
100+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1
Код товару: 150492
Додати до обраних Обраний товар

IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.