Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 39.75 грн до 130.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 70.54 грн |
| 50+ | 49.75 грн |
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.18 грн |
| 50+ | 59.94 грн |
| 100+ | 53.56 грн |
| 500+ | 39.75 грн |
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| IPI180N10N3GXKSA1 транзистор Код товару: 216665
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-5K Код товару: 204796
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 кОм
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
Номінал: 5 кОм
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
у наявності: 117 шт
- 107 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-3K Код товару: 204795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 3 кОм
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
Номінал: 3 кОм
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
у наявності: 3 шт
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| Li-Ion 7000мАг, 11,1В, 150x65x90мм EEMB літій-іонний акумулятор з виводами SLM7H12-L Код товару: 188653
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EEMB
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 150x65x90 mm
Ємність, мА·год: 7000 мА·год
Форма: паралелепіпед
Напруга, В: 11,1 В
Максимальний струм розряду, А: 7 А
Вага, г: 700 г
Відмінності: з контактами
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 150x65x90 mm
Ємність, мА·год: 7000 мА·год
Форма: паралелепіпед
Напруга, В: 11,1 В
Максимальний струм розряду, А: 7 А
Вага, г: 700 г
Відмінності: з контактами
у наявності: 2 шт
- 1 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2250.00 грн |












