IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.17 грн |
| 25+ | 35.20 грн |
| 100+ | 29.91 грн |
| 500+ | 29.84 грн |
| 1000+ | 28.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 25.90 грн до 120.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 Код товару: 150492
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |