Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 32.00 грн до 137.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 72.02 грн |
| 50+ | 50.79 грн |
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.92 грн |
| 50+ | 61.19 грн |
| 100+ | 54.68 грн |
| 500+ | 40.58 грн |
| IPP180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.84 грн |
| 10+ | 64.94 грн |
| 100+ | 48.17 грн |
| 500+ | 38.68 грн |
| 1000+ | 37.69 грн |
| 2500+ | 32.00 грн |
З цим товаром купують
| IPI180N10N3GXKSA1 транзистор Код товару: 216665
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-5K Код товару: 204796
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
Номінал: 5 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
у наявності: 125 шт
117 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-3K Код товару: 204795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 3 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
Номінал: 3 kOhm
Опис: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Вид: Поворотний
Розміри: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
у наявності: 3 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| Li-Ion 7000mAh, 11,1V, 150x65x90mm EEMB літій-іонний акумулятор з виводами SLM7H12-L Код товару: 188653
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EEMB
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 150x65x90 мм
Ємність: 7000 mAh
Форма: паралелепіпед
Напруга, V: 11,1 V
Максимальний струм розряду: 7 A
Вага: 700 g
Відмінності: з контактами
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 150x65x90 мм
Ємність: 7000 mAh
Форма: паралелепіпед
Напруга, V: 11,1 V
Максимальний струм розряду: 7 A
Вага: 700 g
Відмінності: з контактами
у наявності: 2 шт
1 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2250.00 грн |












