Технічний опис IRC540PBF IR
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-5, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V, FET Feature: Current Sensing, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRC540PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRC540PBF | Виробник : IR |
 06+ TSSOP |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
IRC540PBF Код товару: 181576
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
IRC540PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 5-Pin(5+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|
| IRC540PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
IRC540PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp |
товару немає в наявності |