IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies


infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 46.00 грн до 187.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 622489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.09 грн
500+83.78 грн
1000+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.52 грн
155+79.36 грн
168+73.15 грн
200+69.12 грн
500+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.36 грн
10+92.40 грн
19+51.02 грн
51+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.84 грн
10+115.14 грн
19+61.23 грн
51+57.40 грн
500+53.67 грн
1000+50.89 грн
2000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.29 грн
10+127.92 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.50 грн
10+118.82 грн
100+70.41 грн
500+58.32 грн
1000+51.28 грн
2000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Виробник : Infineon irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF Виробник : IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.