Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF
IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 43.17 грн до 202.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
632+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 632
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+95.53 грн
152+83.30 грн
500+64.17 грн
1000+57.04 грн
2000+48.65 грн
10000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+95.99 грн
500+86.39 грн
1000+79.67 грн
10000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+95.99 грн
500+86.39 грн
1000+79.67 грн
10000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.69 грн
10+83.77 грн
50+67.98 грн
100+61.16 грн
250+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.23 грн
10+104.39 грн
50+81.58 грн
100+73.39 грн
250+63.82 грн
500+57.51 грн
1000+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.17 грн
10+103.83 грн
100+70.83 грн
500+53.21 грн
1000+48.95 грн
2000+45.37 грн
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.49 грн
10+109.81 грн
100+64.71 грн
500+55.16 грн
1000+50.74 грн
2000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+194.69 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+201.77 грн
10+100.77 грн
100+87.88 грн
500+65.28 грн
1000+55.71 грн
2000+49.27 грн
10000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.73 грн
10+131.02 грн
100+89.41 грн
500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+95.99 грн
500+86.39 грн
1000+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF Виробник : IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.