Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF
IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 45.57 грн до 214.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.92 грн
2000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.92 грн
2000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 571954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
100000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.80 грн
164+86.60 грн
500+68.96 грн
1000+64.10 грн
2000+58.75 грн
5000+49.91 грн
10000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.13 грн
10+95.56 грн
50+76.28 грн
100+69.30 грн
250+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.51 грн
50+76.16 грн
100+64.11 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.36 грн
10+118.65 грн
100+83.43 грн
500+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.82 грн
10+127.72 грн
100+86.54 грн
500+66.45 грн
1000+59.31 грн
2000+56.37 грн
5000+49.88 грн
10000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.92 грн
2000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.92 грн
2000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 571954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
100000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+82.32 грн
500+74.09 грн
1000+68.32 грн
10000+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.80 грн
164+86.60 грн
500+68.96 грн
1000+64.10 грн
2000+58.75 грн
5000+49.91 грн
10000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.13 грн
10+95.56 грн
50+76.28 грн
100+69.30 грн
250+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.09 грн
10+100.51 грн
50+76.16 грн
100+64.11 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+185.36 грн
10+118.65 грн
100+83.43 грн
500+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+214.82 грн
10+127.72 грн
100+86.54 грн
500+66.45 грн
1000+59.31 грн
2000+56.37 грн
5000+49.88 грн
10000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.