Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF
IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 38.08 грн до 197.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.58 грн
10+87.09 грн
24+40.22 грн
64+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+120.70 грн
153+80.83 грн
500+64.16 грн
1000+55.23 грн
2000+47.09 грн
10000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.89 грн
10+108.53 грн
24+48.26 грн
64+45.70 грн
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+162.61 грн
122+101.01 грн
169+73.17 грн
200+65.02 грн
500+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.26 грн
10+102.45 грн
100+69.88 грн
500+51.83 грн
1000+47.68 грн
2000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.66 грн
10+115.38 грн
100+68.63 грн
500+54.80 грн
1000+48.87 грн
2000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+197.13 грн
10+128.85 грн
100+86.29 грн
500+66.05 грн
1000+54.59 грн
2000+48.26 грн
10000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 572439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
100000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF Виробник : IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.