Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF
IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 41.56 грн до 187.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.65 грн
500+83.38 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.65 грн
500+83.38 грн
1000+76.90 грн
10000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 572539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.65 грн
500+83.38 грн
1000+76.90 грн
10000+66.11 грн
100000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.49 грн
169+72.47 грн
175+69.79 грн
200+63.53 грн
500+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+148.77 грн
25+68.13 грн
100+66.17 грн
500+58.06 грн
1000+47.03 грн
2000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.10 грн
10+65.89 грн
19+49.61 грн
51+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+160.13 грн
167+73.33 грн
172+71.22 грн
500+62.50 грн
1000+50.62 грн
2000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.32 грн
10+82.11 грн
19+59.53 грн
51+55.81 грн
5000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Виробник : Infineon irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF Виробник : IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.