IRF3710PBF Infineon Technologies
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 46.00 грн до 187.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 622489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3710PBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF 3710PBF | Виробник : IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |