Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF
IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+106.67 грн
500+96.00 грн
1000+88.54 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 46.71 грн до 244.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+106.67 грн
500+96.00 грн
1000+88.54 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.78 грн
10+94.71 грн
50+75.60 грн
100+68.69 грн
250+60.62 грн
500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+156.65 грн
132+106.84 грн
500+85.53 грн
1000+75.87 грн
2000+65.11 грн
5000+57.17 грн
10000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.64 грн
10+99.84 грн
100+67.87 грн
500+50.84 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.71 грн
10+124.70 грн
100+87.18 грн
500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.71 грн
113+124.70 грн
162+87.18 грн
500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.11 грн
10+156.67 грн
100+106.86 грн
500+82.48 грн
1000+70.26 грн
2000+62.51 грн
5000+57.18 грн
10000+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF International Rectifier HiRel Products irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+106.67 грн
500+96.00 грн
1000+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+106.67 грн
500+96.00 грн
1000+88.54 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.78 грн
10+94.71 грн
50+75.60 грн
100+68.69 грн
250+60.62 грн
500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+156.65 грн
132+106.84 грн
500+85.53 грн
1000+75.87 грн
2000+65.11 грн
5000+57.17 грн
10000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.64 грн
10+99.84 грн
100+67.87 грн
500+50.84 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+184.71 грн
10+124.70 грн
100+87.18 грн
500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+184.71 грн
113+124.70 грн
162+87.18 грн
500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+244.11 грн
10+156.67 грн
100+106.86 грн
500+82.48 грн
1000+70.26 грн
2000+62.51 грн
5000+57.18 грн
10000+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+106.67 грн
500+96.00 грн
1000+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.