IRF3710PBF
Код товару: 43009
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 57 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| 100+ | 32.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 46.71 грн до 244.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 86.7nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube |
на замовлення 509 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 11830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF3710PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 106.67 грн |
| 500+ | 96.00 грн |
| 1000+ | 88.54 грн |
| 10000+ | 76.12 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 106.67 грн |
| 500+ | 96.00 грн |
| 1000+ | 88.54 грн |
| 10000+ | 76.12 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.78 грн |
| 10+ | 94.71 грн |
| 50+ | 75.60 грн |
| 100+ | 68.69 грн |
| 250+ | 60.62 грн |
| 500+ | 55.18 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 156.65 грн |
| 132+ | 106.84 грн |
| 500+ | 85.53 грн |
| 1000+ | 75.87 грн |
| 2000+ | 65.11 грн |
| 5000+ | 57.17 грн |
| 10000+ | 54.82 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.64 грн |
| 10+ | 99.84 грн |
| 100+ | 67.87 грн |
| 500+ | 50.84 грн |
| 1000+ | 46.71 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 184.71 грн |
| 10+ | 124.70 грн |
| 100+ | 87.18 грн |
| 500+ | 64.91 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 184.71 грн |
| 113+ | 124.70 грн |
| 162+ | 87.18 грн |
| 500+ | 64.91 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 244.11 грн |
| 10+ | 156.67 грн |
| 100+ | 106.86 грн |
| 500+ | 82.48 грн |
| 1000+ | 70.26 грн |
| 2000+ | 62.51 грн |
| 5000+ | 57.18 грн |
| 10000+ | 54.84 грн |
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 106.67 грн |
| 500+ | 96.00 грн |
| 1000+ | 88.54 грн |
| IRF 3710PBF |
Виробник: IR
09+ TSOP
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1130 шт
- 1028 шт - склад
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| R16 10 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15) Код товару: 28623
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CTR
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
у наявності: 2515 шт
- 2409 шт - склад
- 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 56 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 80 шт
- 80 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| IRF5210PBF Код товару: 113380
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 194 шт
- 188 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 93.00 грн |
| 10+ | 88.70 грн |
| 470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3032
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 91 шт
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 48 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 13 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 6000 шт
- 6000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| 20 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-20R-Hitano) Код товару: 11069
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 20 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 20 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5549 шт
- 4800 шт - склад
- 220 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 109 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 420 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |










