Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1010EPBF
IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
  • 50 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010EPBF IR

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 42.62 грн до 104.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.84 грн
2000+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.84 грн
2000+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.49 грн
50+82.65 грн
100+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.49 грн
172+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.83 грн
10+55.39 грн
50+49.91 грн
100+46.51 грн
250+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.68 грн
158+89.78 грн
176+80.52 грн
500+62.22 грн
1000+55.12 грн
2000+51.08 грн
5000+48.88 грн
10000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.83 грн
500+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.89 грн
50+89.98 грн
100+80.71 грн
500+62.36 грн
1000+55.24 грн
2000+51.19 грн
5000+48.99 грн
10000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.61 грн
142+99.93 грн
250+95.92 грн
500+89.16 грн
1000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.84 грн
2000+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.84 грн
2000+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.49 грн
50+82.65 грн
100+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+83.49 грн
172+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.83 грн
10+55.39 грн
50+49.91 грн
100+46.51 грн
250+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.68 грн
158+89.78 грн
176+80.52 грн
500+62.22 грн
1000+55.12 грн
2000+51.08 грн
5000+48.88 грн
10000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.83 грн
500+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.89 грн
50+89.98 грн
100+80.71 грн
500+62.36 грн
1000+55.24 грн
2000+51.19 грн
5000+48.99 грн
10000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.61 грн
142+99.93 грн
250+95.92 грн
500+89.16 грн
1000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KA3525A (SG3525)
Код товару: 29981
Додати до обраних Обраний товар
KA3525A-87714.pdf
KA3525A (SG3525)
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC імпульсне перетворення, 2 виходи
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 500 мА
Частота Fosc, кГц: 430 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 45 шт
  • 29 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
2 Додати до обраних Обраний товар
91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 681 шт
  • 607 шт - склад
  • 52 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.90 грн
100+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар
IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 150 А
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
  • 35 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 13.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
очікується: 30000 шт
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
  • 5000 шт - очікується 09.08.2026
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Плата захисту для 3-х акумуляторів LI-ION з балансиром, 40А Balanced edition
Код товару: 149417
13 Додати до обраних Обраний товар
description
Плата захисту для 3-х акумуляторів LI-ION з балансиром, 40А Balanced editionПлата захисту для 3-х акумуляторів LI-ION з балансиром, 40А Balanced edition
Плата захисту для 3-х акумуляторів LI-ION з балансиром, 40А Balanced editionПлата захисту для 3-х акумуляторів LI-ION з балансиром, 40А Balanced edition
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Плата захисту для 3-х акумуляторів (3S) LI-ION з балансиром. Напруга зарядки: 12,6 В ~ 13,6 В, струм максимальний 40А при умові додаткового охолодження (при недостатньому охолодженні рекомендовано не більше 20А).
Максимальний струм: 40 А
61x41x4 мм
Кількість елементів: 3
Тип пристрою: BMS Li-ion/Li-Po
у наявності: 27 шт
  • 11 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 305 шт
  • 300 шт - очікується 25.09.2026
  • 5 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+95.00 грн
10+80.70 грн
100+74.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.