IRF1010EPBF


irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 84 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
  • 50 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010EPBF IR

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 43.11 грн до 158.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.55 грн
2000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.55 грн
2000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.89 грн
171+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+56.02 грн
50+50.49 грн
100+47.05 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.83 грн
500+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.95 грн
158+90.05 грн
185+76.52 грн
500+62.39 грн
1000+52.85 грн
2000+49.09 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.18 грн
50+90.26 грн
100+76.70 грн
500+62.55 грн
1000+52.99 грн
2000+49.20 грн
5000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.61 грн
142+99.93 грн
250+95.92 грн
500+89.16 грн
1000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+87.79 грн
100+70.72 грн
500+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.55 грн
2000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.55 грн
2000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+83.89 грн
171+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.80 грн
10+56.02 грн
50+50.49 грн
100+47.05 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.83 грн
500+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.95 грн
158+90.05 грн
185+76.52 грн
500+62.39 грн
1000+52.85 грн
2000+49.09 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.18 грн
50+90.26 грн
100+76.70 грн
500+62.55 грн
1000+52.99 грн
2000+49.20 грн
5000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.61 грн
142+99.93 грн
250+95.92 грн
500+89.16 грн
1000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+158.50 грн
10+87.79 грн
100+70.72 грн
500+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KA3525A (SG3525)
Код товару: 29981
Додати до обраних Обраний товар
KA3525A-87714.pdf
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2 виходи
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвих., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 61 шт
  • 40 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
1 Додати до обраних Обраний товар
91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 698 шт
  • 667 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.90 грн
100+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар
IRLB4132PbF.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 44 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Зарядний пристрій для Li-Po із захистом (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board)
Код товару: 101154
31 Додати до обраних Обраний товар
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: MicroUSB
4,5...5,5 VDC
Максимальний струм: 1 А
22x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
у наявності: 1531 шт
  • 1457 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+11.59 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Запобіжник 3,6x10mm 2А 250VAC з виводами (KLS5-1009-2000)
Код товару: 115562
3 Додати до обраних Обраний товар
kls5-1009-1010_datasheet.pdf
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Номінальний струм: 2 A
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
у наявності: 1697 шт
  • 1483 шт - склад
  • 138 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.10 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.