IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 88 шт:
62 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010EPBF IR
- MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:81A
- On State Resistance:0.012ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:330A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 33.89 грн до 149.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - MOSFET, N-KANAL, 60V, 81A, TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
TO-220 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| KA3525A (SG3525) Код товару: 29981
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
товару немає в наявності
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.80 грн |
| IRF740PBF Код товару: 162988
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 794 шт
755 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 32374 шт
28814 шт - склад
965 шт - РАДІОМАГ-Київ
1867 шт - РАДІОМАГ-Львів
130 шт - РАДІОМАГ-Харків
598 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
965 шт - РАДІОМАГ-Київ
1867 шт - РАДІОМАГ-Львів
130 шт - РАДІОМАГ-Харків
598 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 1.00 грн |
| 63+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| IRF1010NPBF Код товару: 26804
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності: 239 шт
205 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 38.00 грн |
| 10+ | 35.00 грн |
| 100+ | 31.50 грн |
| IRLB4132PBF Код товару: 86447
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 192 шт
187 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.50 грн |







