Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1010EPBF
IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Код товару: 72223
Виробник: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 192 шт:
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010EPBF IR

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 30.82 грн до 114.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.40 грн
14+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+60.04 грн
13+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
391+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
391+77.97 грн
500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.70 грн
50+56.93 грн
100+52.53 грн
500+42.54 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+90.86 грн
141+86.79 грн
250+83.31 грн
500+77.43 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.24 грн
10+65.76 грн
24+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.51 грн
10+67.60 грн
100+51.96 грн
500+45.57 грн
1000+43.10 грн
2000+41.36 грн
5000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.13 грн
12+71.72 грн
100+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.29 грн
10+81.95 грн
24+46.26 грн
64+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5923 шт
5584 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
156 шт - РАДІОМАГ-Одеса
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KA3525A (SG3525)
Код товару: 29981
Додати до обраних Обраний товар

KA3525A-87714.pdf
KA3525A (SG3525)
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 37 шт
14 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TL494CN
Код товару: 36468
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 234 шт
184 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 15 шт
15 шт - очікується
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
Додати до обраних Обраний товар

91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 1069 шт
993 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901N
Код товару: 1277
Додати до обраних Обраний товар

NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM2901N
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
у наявності: 125 шт
80 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.