Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1010EPBF
IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 86 шт:
50 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010EPBF IR

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 38.99 грн до 150.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.85 грн
10+55.85 грн
50+41.97 грн
100+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+83.07 грн
500+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+95.67 грн
142+91.40 грн
250+87.73 грн
500+81.55 грн
1000+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
10+66.46 грн
100+52.62 грн
500+40.81 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.37 грн
50+64.65 грн
100+57.93 грн
500+43.28 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.83 грн
10+88.05 грн
100+80.39 грн
500+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF Виробник : International Rectifier irf1010epbf.pdf TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KA3525A (SG3525)
Код товару: 29981
Додати до обраних Обраний товар
KA3525A-87714.pdf
KA3525A (SG3525)
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 71 шт
45 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
1 Додати до обраних Обраний товар
91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 746 шт
694 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.90 грн
100+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар
IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 157 шт
152 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Запобіжник 3,6x10mm 2А 250VAC з виводами (KLS5-1009-2000)
Код товару: 115562
3 Додати до обраних Обраний товар
kls5-1009-1010_datasheet.pdf
Запобіжник 3,6x10mm 2А 250VAC з виводами (KLS5-1009-2000)
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Номінальний струм: 2 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
у наявності: 2030 шт
1845 шт - склад
78 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.10 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
3 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 16920 шт
12989 шт - склад
1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
931 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.