IRF1010EPBF
Код товару: 72223
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 81 шт:
50 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010EPBF IR
- MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:81A
- On State Resistance:0.012ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:330A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1010EPBF за ціною від 38.93 грн до 163.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Виробник : International Rectifier |
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Окількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
IRF1010EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| KA3525A (SG3525) Код товару: 29981
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: DC/DC Switching 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 500 mA
Fosc, kHz: 430 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 67 шт
45 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.80 грн |
| IRF740PBF Код товару: 162988
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 742 шт
690 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| IRLB4132PBF Код товару: 86447
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
44 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.50 грн |
| Зарядний пристрій для Li-Po із захистом (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board) Код товару: 101154
30
Додати до обраних
Обраний товар
|
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: MicroUSB
4,5...5,5 VDC
Максимальний струм: 1 A
22x17x4 mm
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: MicroUSB
4,5...5,5 VDC
Максимальний струм: 1 A
22x17x4 mm
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
у наявності: 1624 шт
1476 шт - склад
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 11.59 грн |
| 1000+ | 10.01 грн |
| Запобіжник 3,6x10mm 2А 250VAC з виводами (KLS5-1009-2000) Код товару: 115562
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Номінальний струм: 2 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Номінальний струм: 2 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
у наявності: 1889 шт
1735 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |







