Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB4132PBF
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 150 А
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 122 шт
  • 117 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 28.62 грн до 191.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+91.94 грн
500+82.74 грн
1000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+91.94 грн
500+82.74 грн
1000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.57 грн
6+78.73 грн
10+69.24 грн
50+51.04 грн
100+44.95 грн
250+38.43 грн
500+34.45 грн
1000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.92 грн
155+91.28 грн
157+90.36 грн
223+61.28 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.00 грн
10+92.02 грн
50+91.11 грн
100+61.78 грн
500+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.46 грн
10+118.77 грн
50+90.48 грн
100+76.36 грн
500+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON IRLB4132PbF.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
384+91.94 грн
500+82.74 грн
1000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
384+91.94 грн
500+82.74 грн
1000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.57 грн
6+78.73 грн
10+69.24 грн
50+51.04 грн
100+44.95 грн
250+38.43 грн
500+34.45 грн
1000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+132.92 грн
155+91.28 грн
157+90.36 грн
223+61.28 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.00 грн
10+92.02 грн
50+91.11 грн
100+61.78 грн
500+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.46 грн
10+118.77 грн
50+90.48 грн
100+76.36 грн
500+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Код товару: 33178
Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ом
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., Вт: 3 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 15x5 мм; D вив. = 0,76 мм
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+200°С
у наявності: 70 шт
  • 60 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
на замовлення: 187 шт
  • 187 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.70 грн
100+2.40 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3661
Додати до обраних Обраний товар
pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 1620 шт
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1030 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
82 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB--Hitano)
Код товару: 11081
1 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
82 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB--Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 82 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 330 шт
  • 107 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 183 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 1170 шт
  • 1170 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
62 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Код товару: 11140
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
62 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 62 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 9330 шт
  • 5110 шт - склад
  • 602 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 490 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1098 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2030 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 600 шт
  • 600 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
6 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 10200 шт
  • 7359 шт - склад
  • 250 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 951 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1050 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 590 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.