IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 25.39 грн до 127.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
на замовлення 5613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLB4132 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 385+ | 36.72 грн |
| 418+ | 33.77 грн |
| 500+ | 31.82 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 38.17 грн |
| 2000+ | 35.33 грн |
| 5000+ | 33.27 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 38.17 грн |
| 2000+ | 35.33 грн |
| 5000+ | 33.27 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 39.44 грн |
| 21+ | 36.80 грн |
| 100+ | 33.85 грн |
| 500+ | 30.75 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 669+ | 52.81 грн |
| 1000+ | 48.70 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 669+ | 52.81 грн |
| 1000+ | 48.70 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 99.37 грн |
| 6+ | 72.80 грн |
| 10+ | 64.00 грн |
| 50+ | 46.81 грн |
| 100+ | 41.31 грн |
| 250+ | 35.47 грн |
| 500+ | 31.91 грн |
| 1000+ | 29.88 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.51 грн |
| 10+ | 70.40 грн |
| 100+ | 46.93 грн |
| 500+ | 34.58 грн |
| 1000+ | 31.53 грн |
| 2000+ | 28.97 грн |
| 5000+ | 25.77 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.51 грн |
| 10+ | 73.03 грн |
| 100+ | 42.13 грн |
| 500+ | 33.05 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| 2000+ | 27.71 грн |
| 5000+ | 25.39 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 114+ | 124.53 грн |
| 174+ | 81.14 грн |
| 254+ | 55.77 грн |
| 500+ | 43.39 грн |
| 1000+ | 37.26 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.17 грн |
| 11+ | 79.91 грн |
| 100+ | 51.94 грн |
| 500+ | 38.17 грн |
| 1000+ | 32.63 грн |
| IRLB4132 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 29.19 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano) Код товару: 33178
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 409 шт
250 шт - склад
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.70 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.10 грн |
| Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В) Код товару: 63099
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
Опис: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 175 шт
158 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
520 шт
20 шт - очікується
500 шт - очікується 25.07.2026
500 шт - очікується 25.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 36.29 грн |
| 1000+ | 32.26 грн |
| Вольтметр для змінної напруги GT2-6024 Код товару: 110848
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 81 шт
74 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3481
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 8261 шт
7610 шт - склад
266 шт - РАДІОМАГ-Київ
157 шт - РАДІОМАГ-Львів
228 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
266 шт - РАДІОМАГ-Київ
157 шт - РАДІОМАГ-Львів
228 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| 10000+ | 3.30 грн |













