Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB4132PBF
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Код товару: 86447
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 288 шт:
251 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 24.26 грн до 126.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+46.32 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+46.32 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.22 грн
16+44.38 грн
100+36.47 грн
500+30.86 грн
1000+27.82 грн
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.24 грн
10+52.58 грн
50+33.49 грн
100+29.12 грн
200+26.41 грн
250+25.77 грн
500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.04 грн
10+66.66 грн
100+42.57 грн
500+30.58 грн
1000+28.77 грн
2000+27.41 грн
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.08 грн
10+65.53 грн
50+40.19 грн
100+34.94 грн
200+31.69 грн
250+30.93 грн
500+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.61 грн
10+69.56 грн
100+38.26 грн
500+29.86 грн
1000+28.56 грн
2000+27.42 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.93 грн
12+76.50 грн
100+46.95 грн
500+34.13 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+126.25 грн
161+76.90 грн
200+65.44 грн
500+45.43 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 Виробник : International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 IRLB4132 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4948 шт
4611 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
120 шт - РАДІОМАГ-Одеса
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 4645 шт
4139 шт - склад
405 шт - РАДІОМАГ-Львів
53 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
10000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17714
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 14429 шт
13401 шт - склад
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
296 шт - РАДІОМАГ-Харків
334 шт - РАДІОМАГ-Одеса
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=7mm (HF3A103Z-L516BD7-Hitano)
Код товару: 2049
Додати до обраних Обраний товар

ClassII_070726.pdf
10nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=7mm (HF3A103Z-L516BD7-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=7 mm
Part Number: HF3A103Z-L516BD7
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2959
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6344 шт
5658 шт - склад
456 шт - РАДІОМАГ-Київ
107 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
118 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.