IRLB4132PBF


IRLB4132PbF.pdf
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 49 шт:

44 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 25.39 грн до 127.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.72 грн
418+33.77 грн
500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+35.33 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+35.33 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.44 грн
21+36.80 грн
100+33.85 грн
500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
6+72.80 грн
10+64.00 грн
50+46.81 грн
100+41.31 грн
250+35.47 грн
500+31.91 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.51 грн
10+70.40 грн
100+46.93 грн
500+34.58 грн
1000+31.53 грн
2000+28.97 грн
5000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.51 грн
10+73.03 грн
100+42.13 грн
500+33.05 грн
1000+30.10 грн
2000+27.71 грн
5000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.53 грн
174+81.14 грн
254+55.77 грн
500+43.39 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON IRLB4132PbF.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.17 грн
11+79.91 грн
100+51.94 грн
500+38.17 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
385+36.72 грн
418+33.77 грн
500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+38.17 грн
2000+35.33 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+38.17 грн
2000+35.33 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+39.44 грн
21+36.80 грн
100+33.85 грн
500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+99.37 грн
6+72.80 грн
10+64.00 грн
50+46.81 грн
100+41.31 грн
250+35.47 грн
500+31.91 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.51 грн
10+70.40 грн
100+46.93 грн
500+34.58 грн
1000+31.53 грн
2000+28.97 грн
5000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.51 грн
10+73.03 грн
100+42.13 грн
500+33.05 грн
1000+30.10 грн
2000+27.71 грн
5000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
114+124.53 грн
174+81.14 грн
254+55.77 грн
500+43.39 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+127.17 грн
11+79.91 грн
100+51.94 грн
500+38.17 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Код товару: 33178
Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 409 шт
250 шт - склад
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.70 грн
100+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)
Код товару: 63099
15 Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 175 шт
158 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 520 шт
20 шт - очікується
500 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна
1+45.00 грн
10+43.50 грн
100+36.29 грн
1000+32.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр для змінної напруги GT2-6024
Код товару: 110848
5 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Global Tone
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 81 шт
74 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481
5 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 8261 шт
7610 шт - склад
266 шт - РАДІОМАГ-Київ
157 шт - РАДІОМАГ-Львів
228 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
10000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.