Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB4132PBF
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 150 А
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 44 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 28.62 грн до 155.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.22 грн
100+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+36.37 грн
5000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+36.37 грн
5000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.13 грн
6+76.94 грн
10+67.67 грн
50+49.88 грн
100+43.93 грн
250+37.56 грн
500+33.67 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.85 грн
10+80.76 грн
100+55.53 грн
500+43.21 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+123.85 грн
175+80.76 грн
255+55.53 грн
500+43.21 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.41 грн
10+95.45 грн
100+64.75 грн
500+48.40 грн
1000+44.42 грн
2000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.22 грн
100+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.17 грн
2000+36.37 грн
5000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.17 грн
2000+36.37 грн
5000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
669+52.81 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.13 грн
6+76.94 грн
10+67.67 грн
50+49.88 грн
100+43.93 грн
250+37.56 грн
500+33.67 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+123.85 грн
10+80.76 грн
100+55.53 грн
500+43.21 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+123.85 грн
175+80.76 грн
255+55.53 грн
500+43.21 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.41 грн
10+95.45 грн
100+64.75 грн
500+48.40 грн
1000+44.42 грн
2000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF 2915227.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1141 шт
  • 1043 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Код товару: 33178
Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ом
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., Вт: 3 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 15x5 мм; D вив. = 0,76 мм
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+200°С
у наявності: 349 шт
  • 240 шт - склад
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.70 грн
100+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)
Код товару: 63099
15 Додати до обраних Обраний товар
Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)
Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 165 шт
  • 134 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується 01.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+43.50 грн
100+36.29 грн
1000+32.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр для змінної напруги GT2-6024
Код товару: 110848
5 Додати до обраних Обраний товар
Вольтметр для змінної напруги GT2-6024Вольтметр для змінної напруги GT2-6024
Вольтметр для змінної напруги GT2-6024Вольтметр для змінної напруги GT2-6024
Виробник: Global Tone
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 79 шт
  • 71 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481
5 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6298 шт
  • 5941 шт - склад
  • 249 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
10000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.