IRLB4132PBF

IRLB4132PBF


IRLB4132PbF.pdf
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 167 шт:

162 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 25.23 грн до 126.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+48.41 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+48.41 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.74 грн
6+72.34 грн
10+63.59 грн
50+46.52 грн
100+41.05 грн
250+35.25 грн
500+31.71 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.33 грн
10+70.48 грн
100+39.83 грн
500+31.59 грн
1000+29.21 грн
2000+26.83 грн
5000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.78 грн
10+69.95 грн
100+46.63 грн
500+34.36 грн
1000+31.33 грн
2000+28.79 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.37 грн
11+79.41 грн
100+51.61 грн
500+37.93 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 Виробник : International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 IRLB4132 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
15 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1619 шт
1399 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481
5 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 10.05.2026
Кількість Ціна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
10000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17714
3 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 7382 шт
7095 шт - склад
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
131 шт - РАДІОМАГ-Харків
79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр цифровий (0-100В Uживл. 5-24В)
Код товару: 63099
16 Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 232 шт
222 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
500 шт - очікується
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+43.50 грн
100+36.29 грн
1000+32.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вольтметр для змінної напруги GT2-6024
Код товару: 110848
5 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Global Tone
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
Опис: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
у наявності: 96 шт
90 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.