Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NPBF
IRF1310NPBF

IRF1310NPBF Infineon Technologies

irf1310npbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1310NPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Аналог IRF1310NPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF1310NPBF за ціною від 36.90 грн до 176.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
686+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 686
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.45 грн
209+58.61 грн
500+55.58 грн
1000+50.85 грн
2000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+99.88 грн
500+89.89 грн
1000+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.49 грн
10+78.74 грн
100+54.64 грн
500+49.97 грн
1000+43.90 грн
2000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
10+95.96 грн
20+47.01 грн
54+44.45 грн
150+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+162.26 грн
109+112.52 грн
118+104.37 грн
200+63.06 грн
500+55.11 грн
1000+51.02 грн
2000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1310N_DataSheet_v01_01_EN-3362837.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.70 грн
10+116.66 грн
100+58.56 грн
500+54.53 грн
1000+51.92 грн
2000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.21 грн
10+120.50 грн
100+69.54 грн
500+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.73 грн
10+119.58 грн
20+56.41 грн
54+53.33 грн
150+52.22 грн
200+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf1310npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.