IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 100+ | 39.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF3710ZPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT |
у наявності: 197 шт
160 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 37.61 грн до 179.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 82nC On-state resistance: 18mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 59A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 160W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 82nC On-state resistance: 18mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 59A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 160W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF3710ZPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Роз'єм AC-101 на мережевий кабель 220В 10А (3 вилки в гнізді) C14 € Код товару: 29601
Додати до обраних
Обраний товар
|
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Мережеві (220VAC)
Вилка/розетка: Розетка на кабель
Опис: роз'єм 220Вольт 10А із заземленням (3 вилки в гнізді) на кабель
Номінальний струм: 10 А
Вилка/розетка: Розетка на кабель
Опис: роз'єм 220Вольт 10А із заземленням (3 вилки в гнізді) на кабель
Номінальний струм: 10 А
у наявності: 203 шт
172 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.20 грн |
| IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 330 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| 100+ | 32.40 грн |
| LM324DT (ST) Код товару: 13322
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: SMD
у наявності: 560 шт
301 шт - склад
96 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
96 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano) Код товару: 11065
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3243
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 20040 шт
20040 шт - склад
очікується:
5000 шт
5000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |









