Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF

irf3710zpbf-datasheet.pdf
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 59 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Аналог IRF3710ZPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf1310npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
  • 149 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
2 Додати до обраних Обраний товар
irf1310npbf-datasheet.pdf
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
  • 149 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 40.50 грн до 198.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
2 Додати до обраних Обраний товар
JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
  • 7 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.45 грн
167+84.75 грн
500+67.84 грн
1000+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.69 грн
10+93.55 грн
20+82.17 грн
50+69.62 грн
100+61.84 грн
200+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.86 грн
10+119.71 грн
100+83.86 грн
500+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+174.86 грн
118+119.71 грн
169+83.86 грн
500+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.52 грн
10+121.63 грн
100+83.44 грн
500+63.01 грн
1000+58.09 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.88 грн
10+127.78 грн
100+86.08 грн
500+76.47 грн
1000+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
2 Додати до обраних Обраний товар
IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
  • 7 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+124.45 грн
167+84.75 грн
500+67.84 грн
1000+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.69 грн
10+93.55 грн
20+82.17 грн
50+69.62 грн
100+61.84 грн
200+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+174.86 грн
10+119.71 грн
100+83.86 грн
500+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+174.86 грн
118+119.71 грн
169+83.86 грн
500+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.52 грн
10+121.63 грн
100+83.44 грн
500+63.01 грн
1000+58.09 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.88 грн
10+127.78 грн
100+86.08 грн
500+76.47 грн
1000+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.