IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF


irf3710zpbf-datasheet.pdf
Код товару: 44978
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:

1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 34.80 грн до 176.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
33 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+83.17 грн
162+75.75 грн
204+60.09 грн
218+54.17 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+107.31 грн
10+67.95 грн
100+53.48 грн
500+49.70 грн
1000+40.42 грн
2000+36.39 грн
5000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.29 грн
10+90.16 грн
20+46.61 грн
55+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.75 грн
10+73.73 грн
100+52.88 грн
500+44.54 грн
1000+41.16 грн
2000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.75 грн
10+82.01 грн
100+51.16 грн
500+44.14 грн
1000+41.13 грн
5000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.61 грн
10+109.20 грн
100+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.75 грн
10+112.35 грн
20+55.94 грн
55+52.92 грн
2000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Роз'єм AC-101 на мережевий кабель 220В 10А (3 вилки в гнізді) C14 €
Код товару: 29601
Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Мережеві (220VAC)
Вилка/розетка: Розетка на кабель
Опис: роз'єм 220Вольт 10А із заземленням (3 вилки в гнізді) на кабель
Номінальний струм: 10 А
у наявності: 299 шт
256 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+43.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 375 шт
288 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM324DT (ST)
Код товару: 13322
Додати до обраних Обраний товар

LM324DT (ST)
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
у наявності: 991 шт
657 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
101 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 7163 шт
4270 шт - склад
212 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
480 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2131 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
500 шт - очікується
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3243
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6900 шт
6900 шт - склад
очікується: 20000 шт
20000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.