Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF

irf3710zpbf-datasheet.pdf
Код товару: 44978
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Аналог IRF3710ZPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf1310npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 31.08.2025
Кількість Ціна
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 37.50 грн до 177.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.32 грн
206+59.41 грн
500+53.97 грн
1000+47.40 грн
5000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.65 грн
10+69.24 грн
20+46.34 грн
55+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.58 грн
10+82.89 грн
100+55.28 грн
500+45.55 грн
1000+40.19 грн
2000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.33 грн
10+81.12 грн
100+49.76 грн
500+45.39 грн
1000+39.07 грн
2000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.18 грн
10+86.29 грн
20+55.61 грн
55+52.60 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+166.75 грн
142+86.22 грн
156+78.49 грн
200+58.98 грн
500+53.52 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.74 грн
10+86.14 грн
100+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+177.12 грн
10+92.10 грн
100+63.38 грн
500+55.52 грн
1000+47.21 грн
5000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Роз'єм AC-101 на мережевий кабель 220В 10А (3 вилки в гнізді) C14 €
Код товару: 29601
Додати до обраних Обраний товар

Роз'єм AC-101 на мережевий кабель 220В 10А (3 вилки в гнізді) C14 €
+1
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Мережеві (220VAC)
Вилка/розетка: Розетка на кабель
Опис: роз'єм 220Вольт 10А із заземленням (3 вилки в гнізді) на кабель
Номінальний струм: 10 А
у наявності: 287 шт
246 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+43.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM324DT (ST)
Код товару: 13322
Додати до обраних Обраний товар

LM324DT (ST)
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: SMD
у наявності: 919 шт
591 шт - склад
96 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5353 шт
2550 шт - склад
202 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
480 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2051 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3243
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 26500 шт
26500 шт - склад
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.