IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 100+ | 39.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF3710ZPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT |
у наявності: 179 шт
160 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 39.58 грн до 187.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3710ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3710ZPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3710ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |