IRF1404PBF
Код товару: 31360
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404PBF за ціною від 26.37 грн до 256.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 84172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 4mΩ |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 7539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC |
на замовлення 5932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 26.47 грн |
| 100+ | 26.37 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 54.57 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 260+ | 54.57 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 130.77 грн |
| 121+ | 117.81 грн |
| 500+ | 95.27 грн |
| 1000+ | 88.33 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 259+ | 137.02 грн |
| 500+ | 122.85 грн |
| 1000+ | 113.73 грн |
| 10000+ | 97.78 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 259+ | 137.02 грн |
| 500+ | 122.85 грн |
| 1000+ | 113.73 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 259+ | 137.02 грн |
| 500+ | 122.85 грн |
| 1000+ | 113.73 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 259+ | 137.02 грн |
| 500+ | 122.85 грн |
| 1000+ | 113.73 грн |
| 10000+ | 97.78 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 175.60 грн |
| 10+ | 99.18 грн |
| 25+ | 79.01 грн |
| 50+ | 68.92 грн |
| 100+ | 66.40 грн |
| 250+ | 63.04 грн |
| 500+ | 60.52 грн |
| 1000+ | 58.84 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 7539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 197.96 грн |
| 10+ | 111.61 грн |
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 73.15 грн |
| 1000+ | 62.91 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.99 грн |
| 10+ | 149.36 грн |
| 100+ | 89.38 грн |
| 500+ | 74.72 грн |
| 1000+ | 69.06 грн |
| 2000+ | 64.87 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.38 грн |
| 50+ | 114.60 грн |
| 100+ | 103.24 грн |
| 500+ | 78.20 грн |
| 1000+ | 72.20 грн |
| 2000+ | 67.15 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 256.92 грн |
| 10+ | 131.39 грн |
| 100+ | 118.37 грн |
| 500+ | 92.30 грн |
| 1000+ | 82.17 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
- 1273 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9020 шт
- 5172 шт - склад
- 2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| NIPPEL TO-220 Втулка ізоляційна для TO220, 6,1мм, макс.130°C Код товару: 26109
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
у наявності: 15022 шт
- 14597 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 96 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 74 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8 шт
- 8 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| P6KE12CA Код товару: 27293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 1124 шт
- 978 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| BZX55-C6V8 Код товару: 42067
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
у наявності: 2482 шт
- 1407 шт - склад
- 453 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 84 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 109 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 429 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |












