IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 202 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,004 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404PBF за ціною від 26.14 грн до 274.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 84172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4mΩ Gate charge: 160nC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 777 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC |
на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.23 грн |
| 100+ | 26.14 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 54.09 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 260+ | 54.09 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.60 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.60 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 259+ | 135.81 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| 1000+ | 112.72 грн |
| 10000+ | 96.91 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 259+ | 135.81 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| 1000+ | 112.72 грн |
| 10000+ | 96.91 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 259+ | 135.81 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| 1000+ | 112.72 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 259+ | 135.81 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| 1000+ | 112.72 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.26 грн |
| 50+ | 77.98 грн |
| 100+ | 69.96 грн |
| 500+ | 52.48 грн |
| 1000+ | 48.24 грн |
| 2000+ | 44.68 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 172.06 грн |
| 10+ | 97.18 грн |
| 25+ | 77.42 грн |
| 50+ | 67.53 грн |
| 100+ | 65.06 грн |
| 250+ | 61.77 грн |
| 500+ | 59.30 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.78 грн |
| 10+ | 119.14 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 274.69 грн |
| 10+ | 136.85 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1130 шт
- 1028 шт - склад
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| NIPPEL TO-220 втулка ізоляційна для TO220, 6,1мм, макс.130°C Код товару: 26109
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Ninigi
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: Під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: Білий
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: Під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: Білий
у наявності: 14577 шт
- 14307 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 96 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 74 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 208 шт
- 200 шт - очікується
- 8 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| P6KE12CA Код товару: 27293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 12 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 10,2 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 12 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 10,2 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 1106 шт
- 978 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| BZX55-C6V8 Код товару: 42067
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 6,8 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3,0 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 6,8 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3,0 мВ/K
у наявності: 2352 шт
- 1277 шт - склад
- 453 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 84 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 109 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 429 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 691 шт
- 116 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 575 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |











