IRF1405PBF
Код товару: 27155
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 169 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0053 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 218 шт
- 196 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1405PBF за ціною від 45.30 грн до 228.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
на замовлення 11275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.3mΩ Gate charge: 170nC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 97.64 грн |
| 154+ | 92.05 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 72.80 грн |
| 2000+ | 58.88 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 120.22 грн |
| 500+ | 108.20 грн |
| 1000+ | 99.79 грн |
| 10000+ | 85.79 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 120.22 грн |
| 500+ | 108.20 грн |
| 1000+ | 99.79 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 120.22 грн |
| 500+ | 108.20 грн |
| 1000+ | 99.79 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 120.22 грн |
| 500+ | 108.20 грн |
| 1000+ | 99.79 грн |
| 10000+ | 85.79 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.41 грн |
| 10+ | 97.07 грн |
| 100+ | 91.51 грн |
| 500+ | 76.55 грн |
| 1000+ | 67.02 грн |
| 2000+ | 56.19 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.30 грн |
| 50+ | 89.13 грн |
| 100+ | 80.16 грн |
| 500+ | 60.44 грн |
| 1000+ | 55.69 грн |
| 2000+ | 51.70 грн |
| 5000+ | 46.60 грн |
| 10000+ | 45.30 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 193.76 грн |
| 10+ | 94.52 грн |
| 25+ | 77.94 грн |
| 50+ | 69.65 грн |
| 100+ | 64.67 грн |
| 500+ | 59.70 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 228.31 грн |
| 10+ | 123.49 грн |
| 100+ | 113.24 грн |
| 500+ | 89.43 грн |
| 1000+ | 76.78 грн |
| 2000+ | 61.73 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 228.31 грн |
| 115+ | 123.49 грн |
| 125+ | 113.24 грн |
| 500+ | 89.43 грн |
| 1000+ | 76.78 грн |
| 2000+ | 61.73 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17658
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
очікується: 25000 шт
- 25000 шт - очікується 10.08.2026
на замовлення: 1150 шт
- 1150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.45 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| Клемник 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P) Код товару: 20540
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,08mm, кількість контактів: 10P, напруга/струм: 300V/15A, на провід: 28-12AWG 2,5mm.кв
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,08mm, кількість контактів: 10P, напруга/струм: 300V/15A, на провід: 28-12AWG 2,5mm.кв
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 100+ | 36.20 грн |
| 2EDGRC-5.08-10P-14-100A Код товару: 122638
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, "тато", конфігурація виводів роз’єму 1x10, напруга/струм: 320V/20A
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, "тато", конфігурація виводів роз’єму 1x10, напруга/струм: 320V/20A
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
у наявності: 132 шт
- 71 шт - склад
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується 08.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| 2SK2545 Код товару: 32870
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/30
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/30
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
- 95 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.50 грн |
| 100+ | 22.80 грн |
| Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g Код товару: 62038
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 0,7мм; 0,1кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 100 г
Діаметр: 0,7 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 0,7мм; 0,1кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 100 г
Діаметр: 0,7 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
у наявності: 12 шт
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 120 шт
- 120 шт - очікується 27.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 400.00 грн |
| 10+ | 375.00 грн |












