IRF1405PBF
Код товару: 27155
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 169 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0053 Ом
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1405PBF за ціною від 45.20 грн до 299.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
на замовлення 11340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.3mΩ Gate charge: 170nC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC |
на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF1405PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.40 грн |
| 105+ | 135.03 грн |
| 500+ | 110.14 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 150.87 грн |
| 100+ | 136.36 грн |
| 500+ | 111.21 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 150.87 грн |
| 104+ | 136.36 грн |
| 500+ | 111.21 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 143.47 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 143.47 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 143.47 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| 10000+ | 114.53 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 143.47 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| 10000+ | 114.53 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 11340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.88 грн |
| 50+ | 88.93 грн |
| 100+ | 79.98 грн |
| 500+ | 60.31 грн |
| 1000+ | 55.57 грн |
| 2000+ | 51.59 грн |
| 5000+ | 46.50 грн |
| 10000+ | 45.20 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 193.33 грн |
| 10+ | 94.31 грн |
| 25+ | 77.76 грн |
| 50+ | 69.49 грн |
| 100+ | 64.53 грн |
| 500+ | 59.56 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 299.34 грн |
| 10+ | 150.16 грн |
| 100+ | 135.72 грн |
| 500+ | 106.74 грн |
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1405PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17658
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 25000 шт
- 25000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| Клемник 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P) Код товару: 20540
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,08mm, кількість контактів: 10P, напруга/струм: 300V/15A, на провід: 28-12AWG 2,5mm.кв
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,08mm, кількість контактів: 10P, напруга/струм: 300V/15A, на провід: 28-12AWG 2,5mm.кв
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
у наявності: 20 шт
- 20 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 100+ | 36.20 грн |
| 2EDGRC-5.08-10P-14-100A Код товару: 122638
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, "тато", конфігурація виводів роз’єму 1x10, напруга/струм: 320V/20A
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, "тато", конфігурація виводів роз’єму 1x10, напруга/струм: 320V/20A
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 10
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
у наявності: 182 шт
- 121 шт - склад
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| MBR2060CT Код товару: 203161
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Diodes
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 60 В
Прямий струм (per leg) If, А: 20 А
Падіння напруги Vf, В: 0,75 В
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 180 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 60 В
Прямий струм (per leg) If, А: 20 А
Падіння напруги Vf, В: 0,75 В
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 180 А
у наявності: 68 шт
- 41 шт - склад
- 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| 2SK2545 Код товару: 32870
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/30
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/30
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
- 95 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.50 грн |
| 100+ | 22.80 грн |











