Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1407PBF
IRF1407PBF

IRF1407PBF

infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
  • 88 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+50.00 грн
10+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1407PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 45.71 грн до 296.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.13 грн
2000+89.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.13 грн
2000+89.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.15 грн
500+124.10 грн
1000+114.67 грн
10000+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.50 грн
50+87.54 грн
100+78.71 грн
500+59.32 грн
1000+54.65 грн
2000+50.72 грн
5000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.46 грн
10+107.07 грн
25+94.71 грн
50+87.30 грн
100+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+294.61 грн
97+145.95 грн
107+131.52 грн
500+102.40 грн
1000+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.12 грн
50+146.70 грн
100+132.19 грн
500+102.93 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF International Rectifier HiRel Products infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.15 грн
500+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.13 грн
2000+89.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.13 грн
2000+89.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
255+138.15 грн
500+124.10 грн
1000+114.67 грн
10000+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.50 грн
50+87.54 грн
100+78.71 грн
500+59.32 грн
1000+54.65 грн
2000+50.72 грн
5000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.46 грн
10+107.07 грн
25+94.71 грн
50+87.30 грн
100+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+294.61 грн
97+145.95 грн
107+131.52 грн
500+102.40 грн
1000+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+296.12 грн
50+146.70 грн
100+132.19 грн
500+102.93 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
255+138.15 грн
500+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Li-Ion 3500мАг, 3,65В, 18650 EVE літій-іонний акумулятор INR18650/35V Grade A
Код товару: 194474
29 Додати до обраних Обраний товар
PBRI-INR18650-35V-D06-05-C.pdf
Li-Ion 3500мАг, 3,65В, 18650 EVE літій-іонний акумулятор INR18650/35V Grade A
Виробник: EVE
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність, мА·год: 3500 мА·год
Форма: циліндрична
Напруга, В: 3,65 В
Максимальний струм розряду, А: 10 А
Вага, г: 50 г
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+140.00 грн
10+128.90 грн
100+122.37 грн
1000+120.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1130 шт
  • 1028 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
3 Додати до обраних Обраний товар
description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 296 шт
  • 213 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 19355
4 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x21 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
8 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 2678 шт
  • 2525 шт - склад
  • 54 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.