IRF1407PBF
Код товару: 24062
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0078ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:520A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 59.70 грн до 242.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 87.99 грн |
| 2000+ | 86.16 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 87.99 грн |
| 2000+ | 86.16 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 98.93 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 139.39 грн |
| 500+ | 125.21 грн |
| 1000+ | 115.70 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 139.39 грн |
| 500+ | 125.21 грн |
| 1000+ | 115.70 грн |
| 10000+ | 99.46 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 152.40 грн |
| 50+ | 150.87 грн |
| 100+ | 131.07 грн |
| 500+ | 104.79 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 152.89 грн |
| 94+ | 151.36 грн |
| 108+ | 131.50 грн |
| 500+ | 105.13 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 196.33 грн |
| 10+ | 103.46 грн |
| 100+ | 88.80 грн |
| 500+ | 68.31 грн |
| 1000+ | 59.70 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 196.42 грн |
| 10+ | 109.27 грн |
| 25+ | 96.66 грн |
| 50+ | 89.09 грн |
| 100+ | 81.53 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.25 грн |
| 10+ | 150.97 грн |
| 100+ | 90.78 грн |
| 500+ | 75.41 грн |
| 1000+ | 70.53 грн |
| 2000+ | 66.06 грн |
| IRF1407PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.74 грн |
| 50+ | 115.91 грн |
| 100+ | 104.43 грн |
| 500+ | 79.14 грн |
| 1000+ | 73.07 грн |
| 2000+ | 67.98 грн |
| 5000+ | 61.44 грн |
З цим товаром купують
| Li-Ion 3500мАг, 3,65В, 18650 EVE літій-іонний акумулятор INR18650/35V Grade A Код товару: 194474
29
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EVE
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність, mAh: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду, A: 10 A
Вага, g: 50 g
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність, mAh: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду, A: 10 A
Вага, g: 50 g
у наявності: 5255 шт
- 5061 шт - склад
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 140.00 грн |
| 10+ | 128.90 грн |
| 100+ | 122.37 грн |
| 1000+ | 120.51 грн |
| STP10NK60ZFP Код товару: 4775
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 311 шт
- 247 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
- 1273 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 19355
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| Кліщі HT-568R (GT-568B) Код товару: 22678
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: 7,3 "(185мм) для обтиску 8P8C/RJ-45, 6P6C/RJ-12, 6P4C/RJ-11
Призначення: роз'єми мережі
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: 7,3 "(185мм) для обтиску 8P8C/RJ-45, 6P6C/RJ-12, 6P4C/RJ-11
Призначення: роз'єми мережі
у наявності: 49 шт
- 42 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 13 шт
- 13 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 310.00 грн |
| 10+ | 295.00 грн |













