
IRF1407PBF


Код товару: 24062
Виробник: IRUds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 152 шт:
134 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 66.00 грн |
10+ | 59.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0078ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:520A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 47.27 грн до 236.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 11003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
Li-Ion 3500mAh, 3.65V, 18650 EVE літій-іонний акумулятор INR18650/35V Grade A Код товару: 194474
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EVE
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду: 10 A
Вага: 50 g
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду: 10 A
Вага: 50 g
товару немає в наявності
очікується:
14000 шт
6000 шт - очікується 16.07.2025
8000 шт - очікується 10.06.2025
8000 шт - очікується 10.06.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 180.00 грн |
10+ | 166.10 грн |
100+ | 151.82 грн |
1000+ | 137.59 грн |
2SD882P (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31893
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
у наявності: 348 шт
240 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 9.00 грн |
10+ | 8.00 грн |
100+ | 7.20 грн |
470uF 25V EFH 10x16 (EFH471M25B – Hitano) Код товару: 114670
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EFH
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 7000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EFH
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 7000 годин
у наявності: 2596 шт
2301 шт - склад
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
59 шт - РАДІОМАГ-Харків
66 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
59 шт - РАДІОМАГ-Харків
66 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 5.00 грн |
10+ | 4.50 грн |
100+ | 3.90 грн |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 460 шт
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 32.00 грн |
10+ | 27.80 грн |
100+ | 25.30 грн |
LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 51586 шт
41521 шт - склад
2096 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
1540 шт - РАДІОМАГ-Харків
1977 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2096 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
1540 шт - РАДІОМАГ-Харків
1977 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
20+ | 0.50 грн |
100+ | 0.40 грн |
1000+ | 0.30 грн |
10000+ | 0.20 грн |