Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1407PBF
IRF1407PBF

IRF1407PBF

infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
  • 79 шт - склад
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50.00 грн
10+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1407PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 59.55 грн до 255.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.35 грн
2000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.35 грн
2000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+117.60 грн
500+105.84 грн
1000+97.61 грн
10000+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+117.60 грн
500+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+145.63 грн
113+125.96 грн
137+103.35 грн
500+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.35 грн
50+87.89 грн
100+74.16 грн
500+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.82 грн
10+110.05 грн
25+97.35 грн
50+89.73 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.90 грн
10+146.05 грн
50+126.32 грн
100+99.95 грн
500+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon_irf1407_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+68.35 грн
2000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+68.35 грн
2000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+117.60 грн
500+105.84 грн
1000+97.61 грн
10000+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+117.60 грн
500+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+145.63 грн
113+125.96 грн
137+103.35 грн
500+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.92 грн
10+115.35 грн
50+87.89 грн
100+74.16 грн
500+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+197.82 грн
10+110.05 грн
25+97.35 грн
50+89.73 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+255.90 грн
10+146.05 грн
50+126.32 грн
100+99.95 грн
500+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineon_irf1407_datasheet_en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
3 Додати до обраних Обраний товар
description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 230 шт
  • 172 шт - склад
  • 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
18 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3857 шт
  • 3819 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 500 шт
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується
на замовлення: 3474 шт
  • 3474 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 19355
4 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x21 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1276 шт
  • 986 шт - склад
  • 89 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 88 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
12 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf %5BLumimax%5DL7812CV.pdf c168776e2953fdb9c2c5d2e822b5d7b0.pdf 1779523855119694.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 2361 шт
  • 2249 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.