IRF1407PBF Infineon Technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 59.27 грн |
| 50+ | 58.69 грн |
| 100+ | 56.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 46.50 грн до 208.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
на замовлення 1704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 9249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |