Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1407PBF
IRF1407PBF

IRF1407PBF Infineon Technologies

infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1407PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 46.50 грн до 209.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+124.89 грн
500+112.19 грн
1000+103.66 грн
10000+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+124.89 грн
500+112.19 грн
1000+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.54 грн
10+81.76 грн
25+75.16 грн
50+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.39 грн
50+85.16 грн
100+76.75 грн
500+58.16 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.84 грн
10+101.89 грн
25+90.19 грн
50+84.24 грн
100+78.29 грн
250+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.17 грн
10+87.07 грн
100+68.90 грн
500+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.01 грн
10+96.95 грн
100+88.85 грн
500+70.20 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+124.89 грн
500+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.