Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF2807PBF
IRF2807PBF

IRF2807PBF

irf2807pbf-datasheet.pdf
Код товару: 88517
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
  • 9 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF2807PBF за ціною від 38.44 грн до 177.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+83.63 грн
500+75.26 грн
1000+69.42 грн
10000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+83.63 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.43 грн
10+82.18 грн
17+59.30 грн
45+55.91 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+135.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+89.82 грн
50+67.72 грн
100+56.86 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon_irf2807_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.78 грн
10+75.03 грн
100+57.88 грн
500+45.87 грн
1000+43.32 грн
2000+40.46 грн
5000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+83.63 грн
500+75.26 грн
1000+69.42 грн
10000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+83.63 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.43 грн
10+82.18 грн
17+59.30 грн
45+55.91 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+135.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.48 грн
10+89.82 грн
50+67.72 грн
100+56.86 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon_irf2807_datasheet_en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.78 грн
10+75.03 грн
100+57.88 грн
500+45.87 грн
1000+43.32 грн
2000+40.46 грн
5000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BZV85-C15
Код товару: 23982
1 Додати до обраних Обраний товар
BZV85.pdf
BZV85-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 15 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,9...13,6 мВ/K
у наявності: 3 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
на замовлення: 39 шт
  • 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6.67 грн
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800B
Код товару: 25107
1 Додати до обраних Обраний товар
description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TOP-3
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 40 А
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+122.00 грн
10+108.90 грн
100+97.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DT
Код товару: 45578
4 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000464.pdf
LM358DTLM358DT
LM358DTLM358DT
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vc, В: 3...30 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,1 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 2 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 0,3 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
Додаткові параметри: Пакування у стрічках
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 638 шт
  • 464 шт - склад
  • 174 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-800G,127
Код товару: 53433
Додати до обраних Обраний товар
b1t39-800g-112287-datasheet.pdf
BT139-800G,127
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TO-220AB
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 16 А
у наявності: 45 шт
  • 19 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1660CT
Код товару: 112399
1 Додати до обраних Обраний товар
MUR16xxCT_SER.pdf
MUR1660CT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220AB
Зворотна напруга Vrr, В: 600 В
Середній струм Iav, А: 16 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 50 ns
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод.
у наявності: 37 шт
  • 17 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
2+19.00 грн
10+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.