IRF2807PBF
Код товару: 88517
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 42.00 грн |
| 100+ | 37.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF2807PBF за ціною від 50.81 грн до 189.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 115533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 115534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2807PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF2807PBF |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 115533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.89 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 351+ | 100.89 грн |
| 500+ | 90.80 грн |
| 1000+ | 83.74 грн |
| 10000+ | 71.99 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 351+ | 100.89 грн |
| 500+ | 90.80 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.47 грн |
| 10+ | 88.72 грн |
| 25+ | 77.11 грн |
| 50+ | 69.65 грн |
| 100+ | 63.84 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 180.81 грн |
| 145+ | 98.09 грн |
| 160+ | 88.84 грн |
| 500+ | 69.86 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 115534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.18 грн |
| 10+ | 98.01 грн |
| 100+ | 88.74 грн |
| 500+ | 69.74 грн |
| 1000+ | 60.56 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.08 грн |
| 50+ | 88.74 грн |
| 100+ | 79.62 грн |
| 500+ | 59.70 грн |
| 1000+ | 54.87 грн |
| 2000+ | 50.81 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF2807PBF |
![]() |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| BZV85-C15 Код товару: 23982
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 15 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,9...13,6 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 15 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,9...13,6 мВ/K
у наявності: 392 шт
- 220 шт - склад
- 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 56 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 46 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1141 шт
- 1043 шт - склад
- 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| BTA41-800B Код товару: 25107
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TOP-3
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 40 А
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TOP-3
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 40 А
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 33 шт
- 17 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 122.00 грн |
| 10+ | 108.90 грн |
| 100+ | 97.40 грн |
| LM358DT Код товару: 45578
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vc, В: 3...30 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,1 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 2 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 0,3 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
Додаткові параметри: Пакування у стрічках
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vc, В: 3...30 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,1 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 2 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 0,3 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
Додаткові параметри: Пакування у стрічках
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 1412 шт
- 1165 шт - склад
- 193 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 49 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| BT139-800G,127 Код товару: 53433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 50 шт
- 40 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |












