IRF2807PBF
Код товару: 88517
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності 101 шт:
56 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 45.00 грн |
| 10+ | 42.00 грн |
| 100+ | 37.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF2807PBF за ціною від 44.72 грн до 238.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 43637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 43644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF2807PBF |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 2553 шт
2486 шт - склад
67 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
270 шт
270 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2429
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 4.50 грн |
| 13+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1675 шт
1599 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| Запобіжник 5х20мм 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V) Код товару: 22669
Додати до обраних
Обраний товар
|
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 10A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 10A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 1566 шт
1221 шт - склад
167 шт - РАДІОМАГ-Київ
170 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
167 шт - РАДІОМАГ-Київ
170 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
5950 шт
500 шт - очікується
450 шт - очікується
5000 шт - очікується 30.03.2026
450 шт - очікується
5000 шт - очікується 30.03.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.50 грн |
| 27+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |







