IRF3703PBF Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3703PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF3703PBF за ціною від 94.28 грн до 426.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF3703PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 7812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF3703PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF3703PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3703PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF3703PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF3703PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IRF3703PBF Код товару: 33794
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|