Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3703PBF
IRF3703PBF

IRF3703PBF

irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 33794
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+108 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3703PBF за ціною від 72.22 грн до 236.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies irf3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : International Rectifier IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 25013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
167+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 167
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.13 грн
10+ 117.42 грн
25+ 110.44 грн
100+ 99.09 грн
250+ 90.86 грн
500+ 82.71 грн
1000+ 78.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3703pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.05 грн
7+ 115.58 грн
10+ 113.56 грн
19+ 108.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+126.45 грн
97+ 118.94 грн
104+ 106.71 грн
250+ 97.85 грн
500+ 89.07 грн
1000+ 84.93 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+141.93 грн
10+ 139.88 грн
25+ 126.73 грн
100+ 109.44 грн
250+ 100.31 грн
500+ 88.4 грн
1000+ 82.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+152.41 грн
77+ 150.21 грн
85+ 136.08 грн
100+ 117.51 грн
250+ 107.72 грн
500+ 94.93 грн
1000+ 88.65 грн
Мінімальне замовлення: 76
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3703_DataSheet_v01_01_EN-3362904.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.06 грн
10+ 164.92 грн
25+ 124.59 грн
100+ 110.96 грн
500+ 101.23 грн
1000+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3703pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.44 грн
3+ 155.83 грн
7+ 138.7 грн
10+ 136.27 грн
19+ 130.59 грн
50+ 126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.19 грн
50+ 165.31 грн
100+ 141.69 грн
500+ 118.2 грн
1000+ 101.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.58 грн
10+ 175.43 грн
100+ 147.04 грн
500+ 123.7 грн
1000+ 112.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF3703PBF IRF3703PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній