Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZPBF JSMICRO
IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF JSMICRO

IRF3710ZPBF.pdf
Код товару: 190954
Виробник: JSMICRO
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності 59 шт:
33 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF3710ZPBF JSMICRO

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 34.98 грн до 176.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+107.88 грн
10+68.31 грн
100+53.76 грн
500+49.96 грн
1000+40.63 грн
2000+36.58 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.29 грн
10+90.16 грн
20+46.53 грн
50+46.46 грн
55+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.75 грн
10+73.73 грн
100+52.88 грн
500+44.54 грн
1000+41.16 грн
2000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+160.63 грн
148+83.17 грн
162+75.75 грн
204+57.95 грн
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.75 грн
10+82.01 грн
100+51.16 грн
500+44.14 грн
1000+41.13 грн
5000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.61 грн
10+109.20 грн
100+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.75 грн
10+112.35 грн
20+55.84 грн
50+55.75 грн
55+52.73 грн
2000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BC327-25
Код товару: 15290
Додати до обраних Обраний товар

bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,8 A
h21,max: 450
у наявності: 1208 шт
712 шт - склад
430 шт - РАДІОМАГ-Київ
41 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.40 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1510 (діодний міст)
Код товару: 42648
Додати до обраних Обраний товар

KBU10_15_25_35.pdf
KBU1510 (діодний міст)
Виробник: YJ/SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBU
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 15 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KBU15005, KBU1501, KBU1502, KBU1504, KBU1506, KBU1508, KBU10005, KBU1001, KBU1002, KBU1004, KBU1006, KBU1008, KBU1010, KBU10A, KBU10B, KBU10D, KBU10G, KBU10J, KBU10K, KBU10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
у наявності: 149 шт
93 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.20 грн
100+13.10 грн
1000+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
15 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Код товару: 13791
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
15 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 15 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 4327 шт
2373 шт - склад
480 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
170 шт - РАДІОМАГ-Харків
133 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1121 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Код товару: 13744
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 24264 шт
20627 шт - склад
1459 шт - РАДІОМАГ-Київ
970 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
890 шт - РАДІОМАГ-Одеса
138 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
300 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-300KR-Hitano)
Код товару: 11155
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
300 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-300KR-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8578 шт
5400 шт - склад
880 шт - РАДІОМАГ-Київ
370 шт - РАДІОМАГ-Львів
685 шт - РАДІОМАГ-Харків
490 шт - РАДІОМАГ-Одеса
753 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.