IRF3710ZPBF JSMICRO
Код товару: 190954
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: JSMICRO
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF3710ZPBF JSMICRO
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 59 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм Монтаж: THT |
у наявності: 15 шт
|
|
| IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 59 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 59 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
- 5 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 100+ | 39.90 грн |
Аналог IRF3710ZPBF JSMICRO
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 42 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT |
у наявності: 161 шт
|
|
| IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 161 шт
- 135 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 46.50 грн |
| 10+ | 41.60 грн |
| 100+ | 36.90 грн |
Інші пропозиції IRF3710ZPBF за ціною від 46.24 грн до 213.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 7311 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 3951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 141.80 грн |
| 10+ | 94.79 грн |
| 20+ | 48.88 грн |
| 54+ | 46.24 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.45 грн |
| 10+ | 90.77 грн |
| 100+ | 71.10 грн |
| 500+ | 57.21 грн |
| 1000+ | 53.03 грн |
| 2000+ | 51.73 грн |
| 5000+ | 50.69 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 188.59 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 188.59 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.26 грн |
| 10+ | 120.37 грн |
| 50+ | 91.83 грн |
| 100+ | 77.54 грн |
| 500+ | 62.39 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.45 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 213.90 грн |
| IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3829 шт
- 3745 шт - склад
- 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 42 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| BTA40-800B Код товару: 24871
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: RD-91
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 40 А
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: RD-91
Umax, В: 800 В
Iвідкр., мА: 50 мА
Imax, А: 40 А
у наявності: 23 шт
- 7 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується
на замовлення: 10 шт
- 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 195.00 грн |
| 10+ | 181.00 грн |
| UC3842BN Код товару: 17968
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST/UTC
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 11...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 11...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 58 шт
- 21 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.10 грн |
| BC327-25 Код товару: 15290
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 45 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,8 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 450
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 45 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,8 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 450
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 910 шт
- 280 шт - склад
- 61 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 569 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 212 шт
- 212 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 36 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-36KR-Hitano) (S) Код товару: 13801
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 36 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 36 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 4507 шт
- 2407 шт - склад
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 440 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1620 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |













