Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF Infineon Technologies

infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF3808PBF за ціною від 77.94 грн до 287.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+157.70 грн
500+141.83 грн
1000+131.24 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+157.70 грн
500+141.83 грн
1000+131.24 грн
10000+112.27 грн
100000+87.30 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+157.70 грн
500+141.83 грн
1000+131.24 грн
10000+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.68 грн
10+117.28 грн
25+105.71 грн
50+98.28 грн
100+91.67 грн
250+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.00 грн
50+116.53 грн
100+105.34 грн
500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+253.41 грн
111+115.38 грн
119+106.99 грн
500+98.57 грн
1000+81.41 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.02 грн
10+146.14 грн
25+126.86 грн
50+117.94 грн
100+110.01 грн
250+98.11 грн
500+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.77 грн
10+105.77 грн
100+85.63 грн
500+84.04 грн
1000+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.65 грн
10+123.22 грн
100+114.27 грн
500+105.26 грн
1000+86.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.16 грн
10+114.73 грн
100+106.73 грн
500+97.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+287.88 грн
500+279.42 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF Виробник : IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.