Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF Infineon Technologies

infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+120.35 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF3808PBF за ціною від 83.08 грн до 278.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
100000+97.00 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.36 грн
5+153.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.96 грн
50+120.33 грн
100+108.78 грн
500+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.64 грн
92+153.91 грн
101+140.89 грн
500+111.25 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON 2043044.pdf description Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
100000+97.00 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.36 грн
5+153.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.96 грн
50+120.33 грн
100+108.78 грн
500+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+278.64 грн
92+153.91 грн
101+140.89 грн
500+111.25 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description 2043044.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.