Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF Infineon Technologies

infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF3808PBF за ціною від 67.88 грн до 296.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+162.45 грн
500+146.09 грн
1000+135.19 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+162.45 грн
500+146.09 грн
1000+135.19 грн
10000+115.64 грн
100000+89.93 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+162.45 грн
500+146.09 грн
1000+135.19 грн
10000+115.64 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 330W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.82 грн
10+89.77 грн
25+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
50+105.55 грн
100+95.42 грн
500+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.99 грн
10+92.12 грн
100+74.58 грн
500+73.19 грн
1000+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.38 грн
10+111.86 грн
25+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.77 грн
10+103.92 грн
100+96.67 грн
500+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+261.04 грн
111+118.85 грн
119+110.21 грн
500+101.53 грн
1000+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.80 грн
10+126.93 грн
100+117.71 грн
500+108.43 грн
1000+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+296.55 грн
500+287.83 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF Виробник : IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.