Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF

irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Код товару: 33009
Виробник: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності 64 шт:
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується 15 шт:
15 шт - очікується
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:140A
  • On State Resistance:0.007ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF3808PBF за ціною від 60.02 грн до 250.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+151.13 грн
500+135.92 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.40 грн
12+74.83 грн
33+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.80 грн
50+106.43 грн
100+100.43 грн
500+76.70 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+221.52 грн
58+212.60 грн
103+118.47 грн
500+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.19 грн
10+220.61 грн
100+118.04 грн
500+88.44 грн
1000+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.90 грн
10+229.49 грн
25+111.03 грн
100+104.50 грн
500+84.90 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.07 грн
12+93.25 грн
33+85.27 грн
2000+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF Виробник : IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PC817A
Код товару: 18418
Додати до обраних Обраний товар

pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 7102 шт
6941 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
3+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF
Код товару: 27155
Додати до обраних Обраний товар

IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 181 шт
135 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N6F7
Код товару: 113452
Додати до обраних Обраний товар

stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
28 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+52.00 грн
10+47.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 63V ECR 8x12mm (ECR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2966
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
47uF 63V ECR 8x12mm (ECR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6392 шт
5871 шт - склад
155 шт - РАДІОМАГ-Київ
163 шт - РАДІОМАГ-Львів
87 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.90 грн
100+1.60 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2245
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 5123 шт
345 шт - склад
227 шт - РАДІОМАГ-Київ
3021 шт - РАДІОМАГ-Львів
68 шт - РАДІОМАГ-Харків
1130 шт - РАДІОМАГ-Одеса
332 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
10+1.00 грн
100+0.75 грн
1000+0.58 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.