IRF510 Siliconix
на замовлення 164 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 25.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF510
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IRF510 | Виробник : Siliconix |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||
![]() |
IRF510 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF510 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF510 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF510 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IRF510 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |