| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.93 грн |
| 10+ | 52.84 грн |
| 100+ | 37.51 грн |
| 500+ | 31.31 грн |
| 1000+ | 27.75 грн |
| 2000+ | 25.66 грн |
| 5000+ | 22.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB, tariffCode: 85364900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRF510PBF-BE3 за ціною від 38.59 грн до 147.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF510PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220ABtariffCode: 85364900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF510PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF510PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |