Продукція > VISHAY > IRF510PBF-BE3
IRF510PBF-BE3

IRF510PBF-BE3 Vishay


irf510.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF510PBF-BE3 Vishay

Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB, tariffCode: 85364900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.

Інші пропозиції IRF510PBF-BE3 за ціною від 23.04 грн до 78.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Виробник : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.69 грн
50+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.05 грн
10+39.92 грн
100+29.79 грн
500+26.53 грн
1000+25.39 грн
2000+25.16 грн
5000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Виробник : VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.14 грн
15+56.97 грн
25+53.57 грн
50+46.74 грн
100+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.