на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF510PBF за ціною від 17.90 грн до 179.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF510PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 10361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 23613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
 |
IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 135/5 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|