IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) за ціною від 24.23 грн до 159.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 4563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 16787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 8062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.03 грн |
| 50+ | 65.95 грн |
| 100+ | 64.99 грн |
| 500+ | 53.07 грн |
| 1000+ | 43.30 грн |
| 2000+ | 37.69 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 79.03 грн |
| 215+ | 65.95 грн |
| 219+ | 64.99 грн |
| 500+ | 53.07 грн |
| 1000+ | 43.30 грн |
| 2000+ | 37.69 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 179+ | 79.62 грн |
| 213+ | 66.58 грн |
| 217+ | 65.61 грн |
| 500+ | 53.65 грн |
| 1000+ | 43.82 грн |
| 2000+ | 38.18 грн |
| 5000+ | 34.01 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.99 грн |
| 50+ | 66.89 грн |
| 100+ | 65.92 грн |
| 500+ | 53.90 грн |
| 1000+ | 44.04 грн |
| 2000+ | 38.35 грн |
| 5000+ | 34.17 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 82.37 грн |
| 10+ | 50.85 грн |
| 50+ | 47.15 грн |
| 100+ | 43.37 грн |
| 250+ | 38.50 грн |
| 500+ | 35.05 грн |
| 1000+ | 31.69 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 152+ | 93.83 грн |
| 190+ | 74.98 грн |
| 250+ | 63.95 грн |
| 500+ | 54.12 грн |
| 1000+ | 44.68 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.76 грн |
| 10+ | 68.58 грн |
| 100+ | 44.90 грн |
| 500+ | 34.08 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| 2000+ | 27.30 грн |
| 5000+ | 24.23 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.33 грн |
| 50+ | 67.46 грн |
| 100+ | 60.41 грн |
| 500+ | 45.06 грн |
| 1000+ | 41.32 грн |
| 2000+ | 38.17 грн |
| 5000+ | 34.20 грн |
| 10000+ | 32.13 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 159.67 грн |
| 11+ | 75.84 грн |
| 100+ | 65.58 грн |
| 500+ | 45.24 грн |
| 1000+ | 36.31 грн |
| 5000+ | 29.82 грн |
З цим товаром купують
| NE555P Код товару: 26138
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2832 шт
- 2662 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 85 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| IRF9510 Код товару: 57715
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 19.00 грн |
| 10+ | 17.20 грн |
| 100+ | 15.50 грн |
| IRF520 (TO-220 ST) Код товару: 186775
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
- 91 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| BFG135 Код товару: 1783
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-223
Частота: 7 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 25 V
Ic, A: 0,15 A
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-223
Частота: 7 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 25 V
Ic, A: 0,15 A
у наявності: 3 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 42.00 грн |
| 10+ | 38.00 грн |
| 100+ | 35.00 грн |
| 4,7uF 400V ECR 10x16mm (ECR4R7M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3140
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2936 шт
- 2493 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 152 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 187 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |














