Продукція > VISHAY > IRF510SPBF
IRF510SPBF

IRF510SPBF Vishay

doc91016.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF510SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF510SPBF за ціною від 27.83 грн до 131.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+50.46 грн
50+49.96 грн
100+49.85 грн
500+42.64 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.37 грн
227+53.72 грн
500+45.94 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.92 грн
31+29.43 грн
84+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
31+36.68 грн
84+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 18170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
50+50.21 грн
100+49.34 грн
500+45.83 грн
1000+42.35 грн
2000+39.13 грн
5000+35.05 грн
10000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.97 грн
10+97.97 грн
100+53.93 грн
500+47.63 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.00 грн
10+65.49 грн
100+51.89 грн
500+46.90 грн
1000+42.86 грн
2000+40.07 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.