Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Інші пропозиції IRF510SPBF за ціною від 32.43 грн до 273.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 386 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 13896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 144+ | 98.48 грн |
| 163+ | 86.82 грн |
| 250+ | 75.16 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.13 грн |
| 50+ | 103.10 грн |
| 100+ | 89.47 грн |
| 500+ | 85.29 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 136+ | 104.13 грн |
| 138+ | 103.10 грн |
| 159+ | 89.47 грн |
| 500+ | 85.29 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 136+ | 104.14 грн |
| 138+ | 103.11 грн |
| 158+ | 89.72 грн |
| 500+ | 85.55 грн |
| 1000+ | 65.37 грн |
| 2000+ | 62.04 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.64 грн |
| 50+ | 103.60 грн |
| 100+ | 90.15 грн |
| 500+ | 85.96 грн |
| 1000+ | 65.68 грн |
| 2000+ | 62.33 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 129.74 грн |
| 10+ | 56.93 грн |
| 50+ | 50.40 грн |
| 100+ | 47.76 грн |
| 250+ | 44.54 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.15 грн |
| 10+ | 75.95 грн |
| 100+ | 55.89 грн |
| 500+ | 45.67 грн |
| 1000+ | 40.95 грн |
| 2000+ | 38.27 грн |
| 5000+ | 36.23 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 138.97 грн |
| 13+ | 65.37 грн |
| 100+ | 51.89 грн |
| 500+ | 44.13 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 13896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.69 грн |
| 50+ | 68.09 грн |
| 100+ | 60.98 грн |
| 500+ | 45.48 грн |
| 1000+ | 41.70 грн |
| 2000+ | 38.53 грн |
| 5000+ | 34.52 грн |
| 10000+ | 32.43 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 273.33 грн |
| 106+ | 134.55 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)