на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 23.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510STRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF510STRLPBF за ціною від 34.97 грн до 130.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF510STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 8.3nC Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |