Продукція > VISHAY > IRF510STRLPBF

IRF510STRLPBF Vishay


sihf510s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+56.11 грн
1600+55.55 грн
2400+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF510STRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF510STRLPBF за ціною від 35.40 грн до 150.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.38 грн
1600+55.81 грн
2400+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
10+89.34 грн
100+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.71 грн
10+94.76 грн
100+55.16 грн
500+43.08 грн
800+37.22 грн
2400+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+56.38 грн
1600+55.81 грн
2400+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.33 грн
10+89.34 грн
100+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.71 грн
10+94.76 грн
100+55.16 грн
500+43.08 грн
800+37.22 грн
2400+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.