Продукція > INFINEON > IRF520N

IRF520N Infineon

IRF520N.pdf Виробник: Infineon
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF520N Infineon

Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Можливі заміни IRF520N Infineon

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF520NPBF IRF520NPBF
Код товару: 55824
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF520N за ціною від 14.00 грн до 14.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF520N IRF520N
Код товару: 25347
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf-520n-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520N IRF520N Виробник : Infineon Technologies IRF520N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.