IRF520SPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.47 грн |
| 50+ | 63.29 грн |
| 100+ | 56.60 грн |
| 500+ | 42.09 грн |
| 1000+ | 38.54 грн |
| 2000+ | 35.56 грн |
| 5000+ | 31.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF520SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.
Інші пропозиції IRF520SPBF за ціною від 34.15 грн до 139.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF520SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF520SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 137.68 грн |
| 11+ | 80.57 грн |
| 100+ | 60.61 грн |
| 500+ | 45.84 грн |
| 1000+ | 34.15 грн |
| IRF520SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 139.50 грн |
| 50+ | 80.97 грн |
| 100+ | 73.38 грн |
| 500+ | 57.78 грн |
| 1000+ | 49.18 грн |
| IRF520SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 139.50 грн |
| 176+ | 80.97 грн |
| 194+ | 73.38 грн |
| 500+ | 57.78 грн |
| 1000+ | 49.18 грн |