Продукція > VISHAY > IRF520SPBF
IRF520SPBF

IRF520SPBF Vishay


sihf520s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+64.80 грн
217+59.43 грн
231+55.67 грн
500+51.53 грн
1000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF520SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF520SPBF за ціною від 29.18 грн до 125.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF520SPBF IRF520SPBF Виробник : Vishay sihf520s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.39 грн
11+69.43 грн
25+63.68 грн
100+57.51 грн
500+51.12 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBF IRF520SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf520s.pdf MOSFETs N-Channel 100V
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.85 грн
10+60.03 грн
100+46.99 грн
500+38.14 грн
1000+34.92 грн
2000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBF IRF520SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf520s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 9355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.79 грн
50+58.08 грн
100+51.94 грн
500+38.62 грн
1000+35.37 грн
2000+32.63 грн
5000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.