IRF5305PBF
Код товару: 40618
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5305PBF за ціною від 35.97 грн до 186.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 71460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: tube |
на замовлення 956 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 18317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 71476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
на замовлення 7579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 4339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 47.78 грн |
| 2000+ | 47.30 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 47.78 грн |
| 2000+ | 47.30 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 599+ | 59.06 грн |
| 1000+ | 54.46 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 60.78 грн |
| 236+ | 60.18 грн |
| 254+ | 55.83 грн |
| 500+ | 44.95 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.99 грн |
| 13+ | 60.78 грн |
| 50+ | 60.18 грн |
| 100+ | 53.84 грн |
| 500+ | 41.62 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 71460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.67 грн |
| 151+ | 93.71 грн |
| 181+ | 78.45 грн |
| 500+ | 49.74 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 108.73 грн |
| 10+ | 60.66 грн |
| 25+ | 52.43 грн |
| 50+ | 45.73 грн |
| 100+ | 40.98 грн |
| 500+ | 35.97 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.44 грн |
| 136+ | 104.55 грн |
| 250+ | 100.35 грн |
| 500+ | 93.28 грн |
| 1000+ | 83.55 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 157.85 грн |
| 10+ | 88.48 грн |
| 50+ | 78.74 грн |
| 100+ | 71.98 грн |
| 500+ | 45.18 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 157.85 грн |
| 160+ | 88.48 грн |
| 180+ | 78.74 грн |
| 190+ | 71.98 грн |
| 500+ | 45.18 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.24 грн |
| 10+ | 108.73 грн |
| 50+ | 82.53 грн |
| 100+ | 69.53 грн |
| 500+ | 55.64 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 71476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 186.44 грн |
| 10+ | 95.04 грн |
| 50+ | 94.08 грн |
| 100+ | 75.94 грн |
| 500+ | 46.24 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 7579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4007 шт
- 3927 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 13251 шт
- 10651 шт - склад
- 520 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 880 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 41000 шт
- 1000 шт - очікується
- 40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| PC817A Код товару: 18418
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
у наявності: 7867 шт
- 7517 шт - склад
- 178 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 132 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1636 шт
- 1526 шт - склад
- 62 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| NCP1117ST33T3G Код товару: 26776
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 20 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,07 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 20 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,07 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: SMD
у наявності: 431 шт
- 376 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 23 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
- 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |










