IRF5305PBF
Код товару: 40618
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності 510 шт:
486 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5305PBF за ціною від 33.35 грн до 221.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 6172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
на замовлення 12440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 18707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 42.52 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.22 грн |
| 2000+ | 54.52 грн |
| 5000+ | 53.97 грн |
| 10000+ | 45.60 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.22 грн |
| 2000+ | 54.52 грн |
| 5000+ | 53.97 грн |
| 10000+ | 45.60 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 63.83 грн |
| 50+ | 63.19 грн |
| 100+ | 58.56 грн |
| 500+ | 50.08 грн |
| 1000+ | 42.00 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 436+ | 80.97 грн |
| 500+ | 72.87 грн |
| 1000+ | 67.21 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 162+ | 87.14 грн |
| 164+ | 86.25 грн |
| 189+ | 74.95 грн |
| 500+ | 59.45 грн |
| 1000+ | 47.32 грн |
| 2000+ | 44.97 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 153+ | 92.73 грн |
| 154+ | 91.79 грн |
| 180+ | 78.47 грн |
| 500+ | 61.16 грн |
| 1000+ | 48.15 грн |
| 2000+ | 45.76 грн |
| 5000+ | 45.30 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 92.96 грн |
| 50+ | 92.02 грн |
| 100+ | 78.67 грн |
| 500+ | 61.33 грн |
| 1000+ | 48.27 грн |
| 2000+ | 45.87 грн |
| 5000+ | 45.42 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 108.48 грн |
| 10+ | 60.53 грн |
| 25+ | 52.31 грн |
| 50+ | 45.63 грн |
| 100+ | 40.89 грн |
| 500+ | 35.89 грн |
| 1000+ | 33.95 грн |
| 1250+ | 33.35 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 130+ | 109.20 грн |
| 136+ | 104.32 грн |
| 250+ | 100.13 грн |
| 500+ | 93.07 грн |
| 1000+ | 83.36 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 6172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.56 грн |
| 12+ | 68.84 грн |
| 100+ | 60.55 грн |
| 500+ | 45.41 грн |
| 1000+ | 38.33 грн |
| 5000+ | 36.50 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 163.27 грн |
| 10+ | 101.90 грн |
| 100+ | 59.85 грн |
| 500+ | 48.52 грн |
| 1000+ | 43.39 грн |
| 2000+ | 40.58 грн |
| 5000+ | 38.61 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.53 грн |
| 50+ | 104.94 грн |
| 100+ | 94.39 грн |
| 500+ | 71.21 грн |
| 1000+ | 65.62 грн |
| 2000+ | 60.93 грн |
| 5000+ | 54.94 грн |
| 10000+ | 51.85 грн |
З цим товаром купують
| PC817A Код товару: 18418
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 10186 шт
9496 шт - склад
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 20.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 25426 шт
19566 шт - склад
1570 шт - РАДІОМАГ-Київ
1810 шт - РАДІОМАГ-Львів
2480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1570 шт - РАДІОМАГ-Київ
1810 шт - РАДІОМАГ-Львів
2480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| NCP1117ST33T3G Код товару: 26776
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 20 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 1 А
Udrop, V: 1,07 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 20 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 1 А
Udrop, V: 1,07 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…125°C
у наявності: 403 шт
378 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |










