Продукція > SILICONIX > IRF530

IRF530 Siliconix

irf530.pdf IRF530.pdf Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+30.7 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Можливі заміни IRF530 Siliconix

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641 		Виробник : IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 570 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+17.5 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.4 грн

Інші пропозиції IRF530

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF530 IRF530
Код товару: 14593 		Виробник : IR irf530.pdf IRF530.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : STMicroelectronics 263cd00000699.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : Vishay 91019.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : STMicroelectronics IRF530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : Vishay / Siliconix vishay_53091019.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF530PBF
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000699-1204277.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 16 Amp
товар відсутній
IRF530 IRF530 Виробник : onsemi / Fairchild irf530.pdf IRF530.pdf MOSFET
товар відсутній
IRF530 IRF530
Код товару: 175506 		Виробник : Siliconix vishay_53091019-1211608.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
товар відсутній