IRF530

IRF530

Код товара: 14593
Производитель: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT

91019.pdf IRF530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
В наличии/под заказ

Техническое описание IRF530

Возможные замены

IRF530NPBF
IRF530NPBF
Код товара: 50641
Производитель: IR
Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
177 шт - склад Киев
13 шт - РАДИОМАГ-Киев
15 шт - РАДИОМАГ-Львов
5 шт - РАДИОМАГ-Харьков
1 шт - РАДИОМАГ-Одесса
3 шт - РАДИОМАГ-Днепр
20 шт - ожидается
1+ 15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 11.9 грн

Цена IRF530 от 19.2 грн до 19.2 грн

IRF530
IRF530
Код товара: 175506
Производитель: Siliconix
Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
vishay_53091019-1211608.pdf

IRF530
IRF530
Производитель: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Packaging: Tube
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
под заказ 657 шт
срок поставки 7-22 дня (дней)
642+ 19.2 грн
IRF530
IRF530
Производитель: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91019.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
263cd00000699.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Base Part Number: IRF530
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay Siliconix
91019.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: STMicroelectronics
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220
Package / Case: TO-220-3
Base Part Number: IRF5
IRF530.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF530PBF
vishay_53091019-1211608.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF530
IRF530
Производитель: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 16 Amp
stmicroelectronics_cd00000699-1204277.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину