IRF530

IRF530

Код товару: 14593
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT

91019.pdf IRF530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт

Технічний опис IRF530

Можливі заміни

IRF530NPBF
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Виробник: IR
Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
520 шт - склад Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+ 16.5 грн
10+ 14.9 грн
100+ 13.1 грн

Ціна IRF530 від 32.79 грн до 33.75 грн

IRF530
IRF530
Код товару: 175506
Виробник: Siliconix
Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
vishay_53091019-1211608.pdf

IRF530
Виробник: SILI
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
91019.pdf IRF530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 250 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+ 32.79 грн
IRF530
Виробник: SILI
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
91019.pdf IRF530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 500 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+ 32.79 грн
IRF530
IRF530
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 657 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
657+ 33.75 грн
IRF530
IRF530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
91019.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF530PBF
vishay_53091019-1211608.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 16 Amp
stmicroelectronics_cd00000699-1204277.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
IRF530.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET
91019.pdf IRF530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
IRSDS13363-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91019.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF530
IRF530
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
263cd00000699.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик