IRF530 Siliconix



Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRF530 Siliconix
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF530NPBF Код товару: 50641 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 320 шт
|
|
Інші пропозиції IRF530
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF530 Код товару: 14593 |
Виробник : IR |
![]() ![]() ![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
![]() |
IRF530 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
|
IRF530 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
IRF530 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF530 Код товару: 175506 |
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 26/670 Монтаж: THT |
товар відсутній
|