IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 449 шт
- 396 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 17.52 грн до 130.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 90mΩ Gate charge: 24.7nC |
на замовлення 2623 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 9635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 6769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
на замовлення 9148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF530NPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 585+ | 24.15 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 31.77 грн |
| 25+ | 30.16 грн |
| 100+ | 28.01 грн |
| 500+ | 25.65 грн |
| 1000+ | 23.21 грн |
| 2000+ | 21.67 грн |
| 5000+ | 21.32 грн |
| 10000+ | 20.70 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 41.68 грн |
| 2000+ | 37.27 грн |
| 5000+ | 35.34 грн |
| 10000+ | 29.80 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 41.68 грн |
| 2000+ | 37.27 грн |
| 5000+ | 35.34 грн |
| 10000+ | 29.80 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.28 грн |
| 10+ | 46.61 грн |
| 25+ | 42.68 грн |
| 50+ | 38.32 грн |
| 100+ | 32.47 грн |
| 250+ | 27.53 грн |
| 500+ | 25.19 грн |
| 1000+ | 23.60 грн |
| 1250+ | 23.26 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 85.07 грн |
| 254+ | 55.71 грн |
| 500+ | 44.34 грн |
| 1000+ | 39.13 грн |
| 2000+ | 32.72 грн |
| 5000+ | 29.70 грн |
| 10000+ | 25.80 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.03 грн |
| 10+ | 52.34 грн |
| 100+ | 34.42 грн |
| 500+ | 25.07 грн |
| 1000+ | 22.74 грн |
| 2000+ | 20.78 грн |
| 5000+ | 18.35 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 108.28 грн |
| 12+ | 66.84 грн |
| 100+ | 52.64 грн |
| 500+ | 41.25 грн |
| 1000+ | 35.20 грн |
| 2000+ | 30.75 грн |
| 5000+ | 29.18 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 108.28 грн |
| 212+ | 66.84 грн |
| 269+ | 52.64 грн |
| 500+ | 41.25 грн |
| 1000+ | 35.20 грн |
| 2000+ | 30.75 грн |
| 5000+ | 29.18 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 112.48 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 130.01 грн |
| 10+ | 84.87 грн |
| 100+ | 55.58 грн |
| 500+ | 42.67 грн |
| 1000+ | 36.15 грн |
| 2000+ | 31.34 грн |
| 5000+ | 29.63 грн |
| 10000+ | 25.73 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.44 грн |
| 100+ | 17.52 грн |
З цим товаром купують
| IRF9530NPBF Код товару: 32844
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 394 шт
- 359 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| SR5100 Код товару: 46057
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 5 А
Падіння напруги Vf, В: 0,85 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 5 А
Падіння напруги Vf, В: 0,85 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 25.07.2026
на замовлення: 359 шт
- 359 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 4.70 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 122 шт
- 122 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40500 шт
- 40000 шт - очікується 10.08.2026
- 500 шт - очікується
на замовлення: 3887 шт
- 3887 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| IRF520 (TO-220 ST) Код товару: 186775
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 112 шт
- 76 шт - склад
- 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3487
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 198 шт
- 198 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
| 1000+ | 12.90 грн |











