Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF530NPBF
IRF530NPBF

IRF530NPBF

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності 469 шт:
416 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 17.52 грн до 141.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
585+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 585
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+31.28 грн
27+28.65 грн
100+27.95 грн
500+25.49 грн
1000+22.93 грн
2000+21.58 грн
5000+21.36 грн
10000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
312+45.48 грн
337+41.98 грн
500+35.64 грн
1000+31.74 грн
2000+27.87 грн
5000+26.48 грн
10000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.80 грн
12+36.73 грн
25+35.22 грн
50+33.97 грн
100+31.37 грн
250+28.35 грн
500+26.17 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+62.58 грн
17+45.13 грн
100+41.67 грн
500+34.11 грн
1000+29.16 грн
2000+26.56 грн
5000+26.28 грн
10000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+90.45 грн
253+56.02 грн
282+50.30 грн
500+39.22 грн
1000+32.88 грн
2000+29.57 грн
5000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.90 грн
10+61.97 грн
100+41.14 грн
500+30.21 грн
1000+27.50 грн
2000+25.23 грн
5000+22.40 грн
10000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.80 грн
11+77.71 грн
100+51.21 грн
500+38.49 грн
1000+31.91 грн
5000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.44 грн
10+85.73 грн
100+49.26 грн
500+38.74 грн
1000+33.09 грн
2000+29.96 грн
5000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf530npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Виробник : International Rectifier irf530n.pdf HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
108 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SR5100
Код товару: 46057
2 Додати до обраних Обраний товар
sr5100.pdf
SR5100
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 5 A
Падіння напруги, Vf: 0,85 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 96 шт
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+4.70 грн
100+3.90 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
2 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
17 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 75243 шт
67931 шт - склад
1016 шт - РАДІОМАГ-Київ
4294 шт - РАДІОМАГ-Львів
1606 шт - РАДІОМАГ-Харків
396 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3487
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
400 шт - очікується 29.10.2026
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.