Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF530NPBF
IRF530NPBF

IRF530NPBF

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10,5
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
  • 416 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 17.52 грн до 125.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
585+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.28 грн
27+28.65 грн
100+27.95 грн
500+25.49 грн
1000+22.93 грн
2000+21.58 грн
5000+21.36 грн
10000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.11 грн
340+41.68 грн
500+35.41 грн
1000+31.55 грн
2000+27.71 грн
5000+26.35 грн
10000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.72 грн
10+46.18 грн
25+42.29 грн
50+37.97 грн
100+32.17 грн
250+27.28 грн
500+24.96 грн
1000+23.38 грн
1250+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.50 грн
17+45.21 грн
100+41.77 грн
500+34.22 грн
1000+29.28 грн
2000+26.66 грн
5000+26.40 грн
10000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.98 грн
14+55.77 грн
100+50.09 грн
500+39.06 грн
1000+32.75 грн
2000+29.46 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.98 грн
254+55.77 грн
283+50.09 грн
500+39.06 грн
1000+32.75 грн
2000+29.46 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.84 грн
10+63.20 грн
100+41.94 грн
500+30.80 грн
1000+28.04 грн
2000+25.73 грн
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.36 грн
11+76.82 грн
100+50.63 грн
500+38.06 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF International Rectifier/Infineon irf530npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
585+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.28 грн
27+28.65 грн
100+27.95 грн
500+25.49 грн
1000+22.93 грн
2000+21.58 грн
5000+21.36 грн
10000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+45.11 грн
340+41.68 грн
500+35.41 грн
1000+31.55 грн
2000+27.71 грн
5000+26.35 грн
10000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.72 грн
10+46.18 грн
25+42.29 грн
50+37.97 грн
100+32.17 грн
250+27.28 грн
500+24.96 грн
1000+23.38 грн
1250+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.50 грн
17+45.21 грн
100+41.77 грн
500+34.22 грн
1000+29.28 грн
2000+26.66 грн
5000+26.40 грн
10000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.98 грн
14+55.77 грн
100+50.09 грн
500+39.06 грн
1000+32.75 грн
2000+29.46 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.98 грн
254+55.77 грн
283+50.09 грн
500+39.06 грн
1000+32.75 грн
2000+29.46 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+63.20 грн
100+41.94 грн
500+30.80 грн
1000+28.04 грн
2000+25.73 грн
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.36 грн
11+76.82 грн
100+50.63 грн
500+38.06 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 428 шт
  • 393 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SR5100
Код товару: 46057
2 Додати до обраних Обраний товар
sr5100.pdf
SR5100
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга Vrrm, V: 100 V
Прямий струм (per leg) If, A: 5 A
Падіння напруги Vf, V: 0,85 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, A: 150 A
у наявності: 11 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+4.70 грн
100+3.90 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
2 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
16 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 60306 шт
  • 53811 шт - склад
  • 685 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4089 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1486 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 235 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3487
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 16x26 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.