Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF530NPBF
IRF530NPBF

IRF530NPBF

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Код товару: 50641
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності 555 шт:
532 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 40 шт:
40 шт - очікується
Кількість Ціна
3+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 18.29 грн до 111.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
698+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
583+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 583
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.10 грн
2000+29.79 грн
5000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+32.65 грн
100+30.37 грн
500+26.66 грн
1000+23.87 грн
2000+22.12 грн
5000+21.30 грн
10000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.39 грн
2000+31.91 грн
5000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+41.34 грн
366+35.78 грн
500+30.06 грн
1000+27.34 грн
2000+23.85 грн
5000+21.48 грн
10000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.30 грн
100+38.35 грн
500+31.07 грн
1000+27.13 грн
2000+24.54 грн
5000+23.02 грн
10000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.55 грн
12+34.83 грн
25+31.75 грн
50+29.34 грн
100+27.10 грн
500+22.36 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.86 грн
10+43.40 грн
25+38.10 грн
50+35.21 грн
100+32.52 грн
500+26.83 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+60.82 грн
250+58.38 грн
500+56.27 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 14004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.99 грн
10+61.42 грн
100+40.79 грн
500+29.95 грн
1000+27.27 грн
2000+25.02 грн
5000+22.21 грн
10000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 7209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.71 грн
10+69.10 грн
100+41.57 грн
500+32.08 грн
1000+29.68 грн
2000+26.09 грн
5000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 17A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.45 грн
100+48.52 грн
500+34.74 грн
1000+29.85 грн
5000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Додати до обраних Обраний товар

irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 193 шт
174 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
3+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SR5100
Код товару: 46057
Додати до обраних Обраний товар

sr5100.pdf
SR5100
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 5 A
Падіння напруги, Vf: 0,85 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 263 шт
165 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4050 шт
50 шт - очікується
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
9+6.00 грн
11+4.70 грн
100+3.90 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 13490 шт
11001 шт - склад
1340 шт - РАДІОМАГ-Київ
508 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
530 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість Ціна
80+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 19355
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується
Кількість Ціна
9+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
30 шт - очікується
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.