IRF530NPBF

IRF530NPBF


irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Код товару: 50641
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності 614 шт:

576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 17.37 грн до 99.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
438+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+32.25 грн
552+22.55 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+38.05 грн
364+34.22 грн
500+29.25 грн
1000+26.57 грн
2000+22.49 грн
5000+21.02 грн
10000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.91 грн
18+40.52 грн
100+36.33 грн
500+29.80 грн
1000+25.97 грн
2000+22.74 грн
5000+22.13 грн
10000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.98 грн
18+40.76 грн
100+36.67 грн
500+30.22 грн
1000+26.36 грн
2000+23.13 грн
5000+22.52 грн
10000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.82 грн
290+42.90 грн
500+33.94 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.67 грн
10+40.84 грн
25+37.41 грн
50+34.85 грн
100+32.45 грн
250+29.33 грн
500+27.10 грн
1000+24.94 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.26 грн
10+47.21 грн
100+34.53 грн
500+27.16 грн
1000+24.94 грн
2000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.01 грн
14+54.45 грн
100+45.96 грн
500+35.07 грн
1000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.20 грн
10+50.90 грн
25+44.89 грн
50+41.82 грн
100+38.94 грн
250+35.20 грн
500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.46 грн
15+58.79 грн
100+48.80 грн
500+34.05 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 13039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.60 грн
10+60.50 грн
100+40.13 грн
500+29.47 грн
1000+26.83 грн
2000+24.61 грн
5000+21.85 грн
10000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Додати до обраних Обраний товар

irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 276 шт
243 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
2+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 18333 шт
15705 шт - склад
1900 шт - РАДІОМАГ-Київ
240 шт - РАДІОМАГ-Львів
440 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість Ціна
60+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 2176 шт
2126 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Код товару: 28628
Додати до обраних Обраний товар

ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
у наявності: 461 шт
378 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 538 шт
38 шт - очікується
500 шт - очікується 20.03.2026
Кількість Ціна
3+13.50 грн
10+11.60 грн
100+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3021M
Код товару: 37428
Додати до обраних Обраний товар

MOC302X%20series%20201606.pdf moc3023m-d.pdf
MOC3021M
Виробник: ON
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Оптосимістор
Uізол,kV: 7,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/1000 mA
Uвых,V: 400 V
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
у наявності: 568 шт
505 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.