
IRF530NPBF

Код товару: 50641
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності 281 шт:
236 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 25 шт:
25 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17.50 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF530NPBF за ціною від 16.59 грн до 89.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 22074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRF530NPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 24.7nC On-state resistance: 90mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 24.7nC On-state resistance: 90mΩ |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRF9530NPBF Код товару: 32844
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
200 шт
200 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 17.90 грн |
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.40 грн |
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1115 шт
1006 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15) Код товару: 28628
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
у наявності: 1173 шт
1042 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
57 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
57 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13.50 грн |
10+ | 11.60 грн |
100+ | 9.80 грн |
MOC3021M Код товару: 37428
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Оптосимістор
Uізол,kV: 7,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/1000 mA
Uвых,V: 400 V
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Оптосимістор
Uізол,kV: 7,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/1000 mA
Uвых,V: 400 V
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
у наявності: 646 шт
548 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Одеса
51 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Одеса
51 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13.50 грн |
10+ | 11.90 грн |
100+ | 10.70 грн |